光学邻近效应论文

论文摘要目前整个IC制造工艺中关键尺寸从0.35微米大幅进步到0.18微米之后,已迈向0.13微米,整个技术仍然继续朝着关键尺寸进一步微细化方向发展。整个半导体工艺技术的发展随...

论文题目:亚波长光刻条件下集成电路可制造性设计与验证技术研究论文类型:博士论文论文专业:电路与系统作者:史峥导师:严晓浪关键词:光刻仿真,光学邻近效应,可制造性设计,光学邻近校...