光生电压论文

直流溅射法制备ZnO/Si异质结的光电转换特性研究
论文摘要ZnO是一种直接带隙的宽禁带半导体,在常温下的禁带宽度为3.37eV,由于其在可见光区域有很高的透过率,因此可以成为替代ITO和SnO2等传统透明导电氧化物薄膜（TCO...