感应耦合等离子体论文
![碳氟感应耦合等离子体及其SiO2介质刻蚀研究]()
碳氟感应耦合等离子体及其SiO2介质刻蚀研究
论文摘要直至目前,微电子器件中最常使用的层间介质仍然是SiO2,其刻蚀主要使用的是碳氟等离子体。对此,国内外研究者已进行了大量的研究。但由于等离子体的复杂性,直到目前,碳氟等离...![平面线圈感应耦合等离子体中射频电场穿透及功率沉积的理论研究]()
平面线圈感应耦合等离子体中射频电场穿透及功率沉积的理论研究
论文摘要由于射频感应耦合放电可以在低气压下产生高密度的均匀等离子体,因此它在等离子体刻蚀和薄膜沉积等工艺中有着广泛地应用。本文针对平面线圈感应耦合等离子体（TCP）,采用动力学...![AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管的研制与特性分析]()
AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管的研制与特性分析
论文摘要AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管（HEMT）在高温大功率方面有非常好的应用前景。但是,AlGaN/GaNHEMT的工艺技术还不成熟,干法刻蚀、肖特基接触、欧姆...![感应耦合等离子体器壁条件与等离子体参数的关系]()
感应耦合等离子体器壁条件与等离子体参数的关系
论文摘要本文目的为研究感应耦合等离子体(ICP)的器壁条件与等离子体参数之间的关系。器壁条件改变的两种方式为改变器壁尺寸和在器壁上沉积/清洗聚合物膜。我们用Langmuir探针...![碳化硅场效应器件的模型及关键工艺技术研究]()
碳化硅场效应器件的模型及关键工艺技术研究
论文题目:碳化硅场效应器件的模型及关键工艺技术研究论文类型:博士论文论文专业:微电子学与固体电子学作者:王平导师:杨银堂关键词:碳化硅,电子霍耳迁移率,蒙特卡罗,金属半导体场效...
