发光器件论文

富硅氮化硅和纳米硅多层量子阱硅基发光薄膜与器件
论文摘要在硅基上实现光电单片集成,能够为微电子器件提供大带宽的光互连,同时为光电子器件提供低廉的制造成本,这使得硅基光电子成为国际上半导体领域研究的热点之一。晶体硅由于间接带隙...
ZnO薄膜及其发光器件的PLD法制备研究
论文摘要ZnO是一种宽禁带半导体材料,为六方晶体（纤锌矿）结构,与GaN的晶格结构相同。室温下ZnO的禁带宽度为3.37eV左右,激子束缚能为60meV,是继GaN之后的又一理...
MgZnO薄膜材料的MOCVD法生长、退火及其发光器件研究
论文摘要ZnO是具有纤锌矿晶体结构的直接宽带隙半导体材料，室温带宽约为3．37eV，激子束缚能为60meV。ZnO和GaN的能带间隙和晶格常数非常接近，可互相提供缓冲层，有相近...