第一性原理方法论文

论文摘要六角氮化硼是一种层状的宽带隙半导体材料,由于其类似于石墨的结构特征和在光电器件方面的潜在应用,已经受到大家广泛关注。随着实验上六角氮化硼单晶的成功制备,使其器件化成为可...

论文摘要氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的代表,是一种重要的宽带隙半导体材料,具有优良的光电特性和稳定的物理特性,是当今世界上最为先进的半导体材料之一。它广泛应用于蓝、绿发...

论文摘要以氮化镓为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物宽带隙半导体材料具有优良的光电特性和稳定的物理性质。目前,氮化镓块体结构和薄膜结构已经被广泛的研究。然而,对于一维氮化镓纳米结构的研究还处...

论文摘要能源是现代社会赖以生存和发展的基础。氢的发热值高、没有污染且资源丰富。利用氢能这一清洁能源取代以石化燃料为基础的现有能源已成为全球的共识。氢能的发展中最关键技术难题之一...