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  • 基于自组装金属纳米晶MOS电容存储效应及其机理的研究

    基于自组装金属纳米晶MOS电容存储效应及其机理的研究

    论文摘要相对于传统的FLASH存储器而言,基于纳米晶(NCs)的非易失性存储器(NVM)因其离散俘获陷阱中心存储行为及对局部氧化层缺陷具有极大的免疫能力而被广泛研究,是新一代非...
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