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  • 铜氧化物多孔材料的制备与电化学性能表征

    铜氧化物多孔材料的制备与电化学性能表征

    论文摘要氧化铜(CuO)是能带隙约为1.5eV的p型半导体,属于单斜晶系,空间群为C62h(C2/C),具有良好的导电、光电、气敏等特性,被广泛应用在气敏传感器、催化剂和电池等...
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