金属有机化学汽相沉积论文

MOCVD方法生长单晶ZnO、p型掺杂及同质ZnO-LED室温电致发光研究
论文摘要氧化锌（ZnO）是一种直接宽带隙化合物半导体材料,其室温禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,高于室温热能26meV,也远高于其它半导体材料,如已经在蓝紫光波...