本文在前人研究的基础上，利用解析方法研究了应变Si1-xGex层中本征载流子浓度、少数载流子浓度、p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系。计算了在基区掺杂为高斯分布、Ge组分分布为三角形分布和矩形三角形分布时基区内建电场的变化情况。拟合了价带有效态密度公式、重掺杂禁带变窄公式，对由非简并情形向简并情形过渡的杂质电离出来的空穴浓度公式进行了修正。并在计算内建电场时综合考虑了（1）在基区掺杂分布优化设计（从发射结到集电结逐渐降低）的基础上考虑了掺杂对内建电场的影响。（2）考虑了由Ge组分引起的禁带宽度变窄量和重掺杂引起禁带变窄量对内建电场的影响。（3）考虑了价带有效态和导带有效态密度为非常数时对内建电场的影响。特别是首次导带有效态密度的影响。并将得到的结果与实验数据以及他人的研究成果比较对照，发现两者符合的很好：
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