张晓辉:真空热压烧结-内氧化法制备Al2O3-Cu/(W,Cr)触头材料的电接触性能论文

张晓辉:真空热压烧结-内氧化法制备Al2O3-Cu/(W,Cr)触头材料的电接触性能论文

本文主要研究内容

作者张晓辉,田保红,刘勇,张毅,宋克兴,李全安(2019)在《真空热压烧结-内氧化法制备Al2O3-Cu/(W,Cr)触头材料的电接触性能》一文中研究指出:采用真空热压烧结-内氧化法制备Al2O3-Cu/(25)W(5)Cr和Al2O3-Cu/(35)W(5)Cr电触头材料,分别测试其致密度、导电率和布氏硬度;利用场发射扫描电镜分析触头材料的微观组织;利用JF04C电接触触点测试系统研究两种触头材料的电接触性能。结果表明:纳米Al2O3颗粒钉扎位错引起位错缠结;在电弧侵蚀过程中,Al2O3-Cu/(25)W(5)Cr触头在30A时有少部分材料从阳极转移至阴极,但两种触头材料最终的质量转移方向都是从阴极转移到阳极;电弧侵蚀过程中随着Cu的熔化、蒸发和喷溅,W颗粒逐渐聚集并形成针状的骨架,阳极形成了凸起,阴极留下灼坑;当弥散铜基体中W的含量从25%增加至35%(质量分数)时,触头的熔焊力下降,抗熔焊性能提高。

Abstract

cai yong zhen kong re ya shao jie -nei yang hua fa zhi bei Al2O3-Cu/(25)W(5)Crhe Al2O3-Cu/(35)W(5)Crdian chu tou cai liao ,fen bie ce shi ji zhi mi du 、dao dian lv he bu shi ying du ;li yong chang fa she sao miao dian jing fen xi chu tou cai liao de wei guan zu zhi ;li yong JF04Cdian jie chu chu dian ce shi ji tong yan jiu liang chong chu tou cai liao de dian jie chu xing neng 。jie guo biao ming :na mi Al2O3ke li ding za wei cuo yin qi wei cuo chan jie ;zai dian hu qin shi guo cheng zhong ,Al2O3-Cu/(25)W(5)Crchu tou zai 30Ashi you shao bu fen cai liao cong yang ji zhuai yi zhi yin ji ,dan liang chong chu tou cai liao zui zhong de zhi liang zhuai yi fang xiang dou shi cong yin ji zhuai yi dao yang ji ;dian hu qin shi guo cheng zhong sui zhao Cude rong hua 、zheng fa he pen jian ,Wke li zhu jian ju ji bing xing cheng zhen zhuang de gu jia ,yang ji xing cheng le tu qi ,yin ji liu xia zhuo keng ;dang mi san tong ji ti zhong Wde han liang cong 25%zeng jia zhi 35%(zhi liang fen shu )shi ,chu tou de rong han li xia jiang ,kang rong han xing neng di gao 。

论文参考文献

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  • 论文详细介绍

    论文作者分别是来自中国有色金属学报的张晓辉,田保红,刘勇,张毅,宋克兴,李全安,发表于刊物中国有色金属学报2019年06期论文,是一篇关于真空热压烧结论文,电接触论文,电弧侵蚀论文,材料转移论文,熔焊力论文,中国有色金属学报2019年06期论文的文章。本文可供学术参考使用,各位学者可以免费参考阅读下载,文章观点不代表本站观点,资料来自中国有色金属学报2019年06期论文网站,若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权,请联系我们删除。

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