李青翠:催化剂、温度和保护气体对微硅粉合成碳化硅晶须的影响论文

李青翠:催化剂、温度和保护气体对微硅粉合成碳化硅晶须的影响论文

本文主要研究内容

作者李青翠,陆俊宇,张鹏(2019)在《催化剂、温度和保护气体对微硅粉合成碳化硅晶须的影响》一文中研究指出:以工业废弃物微硅粉为硅源,石墨为碳源,硼酸为催化剂,采用碳热还原法制备碳化硅晶须。通过XRD及SEM对合成产物的物相及形貌进行分析,探讨了碳源、合成温度、催化剂加入量和保护气体对合成碳化硅晶须的影响。结果表明:选择石墨为碳源可成功制备出碳化硅晶须;合成温度为1550℃和1650℃时,所制备的晶须呈直线状,表面平直光滑,而当温度为1600℃时,晶须呈竹节状;以氮气为保护气体,催化剂的含量为5%~6%时,合成的晶须的产率最高,且品质好,晶须在氮气中的生长机理推测为气固机理。该合成方法为工业废弃物微硅粉的高质化利用提供了一条切实可行的路线。

Abstract

yi gong ye fei qi wu wei gui fen wei gui yuan ,dan mo wei tan yuan ,peng suan wei cui hua ji ,cai yong tan re hai yuan fa zhi bei tan hua gui jing xu 。tong guo XRDji SEMdui ge cheng chan wu de wu xiang ji xing mao jin hang fen xi ,tan tao le tan yuan 、ge cheng wen du 、cui hua ji jia ru liang he bao hu qi ti dui ge cheng tan hua gui jing xu de ying xiang 。jie guo biao ming :shua ze dan mo wei tan yuan ke cheng gong zhi bei chu tan hua gui jing xu ;ge cheng wen du wei 1550℃he 1650℃shi ,suo zhi bei de jing xu cheng zhi xian zhuang ,biao mian ping zhi guang hua ,er dang wen du wei 1600℃shi ,jing xu cheng zhu jie zhuang ;yi dan qi wei bao hu qi ti ,cui hua ji de han liang wei 5%~6%shi ,ge cheng de jing xu de chan lv zui gao ,ju pin zhi hao ,jing xu zai dan qi zhong de sheng chang ji li tui ce wei qi gu ji li 。gai ge cheng fang fa wei gong ye fei qi wu wei gui fen de gao zhi hua li yong di gong le yi tiao qie shi ke hang de lu xian 。

论文参考文献

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  • 论文详细介绍

    论文作者分别是来自人工晶体学报的李青翠,陆俊宇,张鹏,发表于刊物人工晶体学报2019年07期论文,是一篇关于微硅粉论文,碳热还原反应论文,碳化硅晶须论文,生长机理论文,人工晶体学报2019年07期论文的文章。本文可供学术参考使用,各位学者可以免费参考阅读下载,文章观点不代表本站观点,资料来自人工晶体学报2019年07期论文网站,若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权,请联系我们删除。

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