本文主要研究内容
作者陈上峰,李爽,王凯,赵国财,仲德晗,孙乃坤（2019）在《CVD制备Bi2Se3纳米片薄膜及热电性能研究》一文中研究指出：采用化学气相沉积法（CVD）在云母基片上制备了由高结晶度的纳米片组成的Bi2Se3薄膜。系统研究了基片不同温区、沉积时间及补偿Se对薄膜结构、形貌及热电性能的影响。研究结果表明,在加热温度为520℃、加热时间为30min条件下制备出了由三角形纳米片组成的Bi2Se3薄膜,纳米片边长为10μm,薄膜厚度为1.25μm。在室温时,Bi2Se3薄膜的电导率为0.9S/cm,seebeck系数为-77.8μV/K。
Abstract
cai yong hua xue qi xiang chen ji fa （CVD）zai yun mu ji pian shang zhi bei le you gao jie jing du de na mi pian zu cheng de Bi2Se3bao mo 。ji tong yan jiu le ji pian bu tong wen ou 、chen ji shi jian ji bu chang Sedui bao mo jie gou 、xing mao ji re dian xing neng de ying xiang 。yan jiu jie guo biao ming ,zai jia re wen du wei 520℃、jia re shi jian wei 30mintiao jian xia zhi bei chu le you san jiao xing na mi pian zu cheng de Bi2Se3bao mo ,na mi pian bian chang wei 10μm,bao mo hou du wei 1.25μm。zai shi wen shi ,Bi2Se3bao mo de dian dao lv wei 0.9S/cm,seebeckji shu wei -77.8μV/K。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自沈阳理工大学学报的陈上峰,李爽,王凯,赵国财,仲德晗,孙乃坤，发表于刊物沈阳理工大学学报2019年02期论文，是一篇关于薄膜论文,热电性能论文,沈阳理工大学学报2019年02期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自沈阳理工大学学报2019年02期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
标签：薄膜论文; 热电性能论文; 沈阳理工大学学报2019年02期论文;