一、多晶硅TFT有源OLED两管像素电路的研究（论文文献综述）
关肖飞[1]（2020）在《基于全P型LTPS-TFT的电压编程型像素补偿电路设计》文中认为有机发光二极管（Organic Light Emitting Diode,OLED）具有色彩鲜艳、超轻薄、自发光等优点,在高性能显示技术领域得到了广泛的应用。显示技术中的像素单元是由薄膜晶体管（Thin Film Transistors,TFT）驱动OLED来实现的。然而,在长时间电压应力作用下,驱动晶体管的阈值电压和迁移率会产生漂移,引起OLED驱动电流的变化;另外,寻址电极产生的寄生电阻会产生I-R（current-resistance）降,导致各个像素单元的电源电压不同,也会引起OLED驱动电流的变化。本文设计电压编程型像素电路来补偿上述因素引起的变化,以稳定OLED的驱动电流。本文介绍了AMOLED显示技术和像素补偿电路的基本原理,在深入调研像素补偿电路的研究进展的基础上,采用全P型低温多晶硅（Low Temperature Polycrystalline Silicon,LTPS）TFT设计像素补偿电路,具体工作总结如下:（1）改进了一种全P型的电压编程型6T2C像素补偿电路。与原电路仅能补偿阈值电压漂移相比,改进的电路还能补偿I-R降,并且减少了一个晶体管。仿真结果表明,当驱动管的阈值电压变化±0.5 V时,电流误差率小于2.2%,当I-R降变化0.5 V时,栅源压差变化0.004 V,几乎不影响驱动电流。（2）设计了一种全P型的电压编程型5T1C像素补偿电路。电路采用镜像晶体管的结构,在同一阶段实现了编程阶段阈值电压的提取和数据电压的输入。该电路能补偿驱动管的阈值电压漂移和I-R降,稳定OLED的驱动电流。仿真结果表明,当驱动管的阈值电压变化±0.5 V时,电流误差率小于5.8%,当I-R降下降10%,电流误差率小于7.9%。（3）继续对上述5T1C像素补偿电路的驱动时序进行改进。在编程阶段调整开关管的时序,减小驱动晶体管的源极电位,以补偿TFT迁移率的漂移,稳定OLED的驱动电流。仿真结果表明,驱动晶体管的迁移率变化±30%,电流误差率小于5.4%。
黄勇[2]（2019）在《补偿阈值电压和迁移率的电压编程型像素电路设计》文中提出显示技术从过去的阴极射线管（Cathode Ray Tube,CRT）显示,已经发展到现在成熟的薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD）,以及新一代的自发光有源矩阵有机发光二极管（Active-Matrix Organic Light-Emitting Diode,AMOLED）显示。AMOLED显示技术中的各个像素单元是由薄膜晶体管（Thin Film Transistor,TFT）、有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode,OLED）、电容组成,由TFT驱动OLED发光。TFT具有多种类型,其中,低温多晶硅TFT与其他类型的TFT相比,具有迁移率高的优势,因此,驱动OLED的能力强,在高分辨率、中小尺寸AMOLED显示技术中得到了广泛的应用。在应用过程中,低温多晶硅TFT也存在一些问题,其电学特性会表现出不均匀性,这是由多晶硅薄膜的不均匀性和TFT长时间工作下的电学应力造成的。电学特性的不均匀性主要表现为阈值电压和迁移率的变化,为了补偿这些变化,需要设计合适的像素电路。本文设计了一种全P型6T2C电压编程像素电路。电路设计过程中,在补偿阶段,通过驱动管源极放电的方式,提取了驱动管的阈值电压。在数据输入阶段,调整开关管的时序,增大驱动管源级电压,实现迁移率的补偿。仿真结果验证了该电路当驱动管阈值电压变化±0.5 V时,电流误差率最大10%,当驱动管迁移率变化±30%时,电流误差率最大为9%。另外,本文也设计了一种N-P混合型5T2C电压编程像素电路。电路设计过程中,在补偿阶段,通过驱动管的二极管连接方式给栅极充电,提取了驱动管的阈值电压。在数据输入阶段,调整开关管的时序,减小驱动管栅极电压,实现对迁移率的补偿。仿真结果验证了该电路当驱动管阈值电压变化±0.5 V时,电流误差率最大9%,当驱动管迁移率变化±30%时,电流误差率最大为6%。最后,本文还设计了一种全N型5T2C电压编程像素电路。电路设计过程中,在补偿阶段,通过驱动管二极管的连接方式中漏极放电方式,提取了驱动管的阈值电压。在数据输入阶段,调整开关管的时序,增大驱动管栅极电压,实现迁移率的补偿。仿真结果验证了该电路当驱动管阈值电压变化±0.5 V时,电流误差率最大为6%。当驱动管迁移率变化±30%时,电流误差率最大为9%。
夏兴衡[3]（2016）在《基于金属氧化物TFT的AMOLED像素电路研究》文中研究说明有源矩阵有机发光二极管（AMOLED）显示凭借其高亮度、高对比度、宽视角、重量轻、制造工艺简单、响应速度快、低功耗、可制作大尺寸可挠性面板等诸多优点,在平板显示领域受到科学家和产业界的广泛重视,成为了新一代平板显示的研究热点。金属氧化物薄膜晶体管（MOTFT）具有较高的迁移率、薄膜均匀性好、工艺温度低等优点,且与非晶硅TFT的制作工艺过程相兼容,因此在新型显示技术的应用中显示出了巨大优势。由于传统的2个TFT和1个电容构成的像素电路（简称2T1C像素电路）无法保证显示屏的均匀性要求,因此研究具有补偿功能的像素电路对AMOLED显示的应用具有重要意义。本文首先对AMOLED像素电路中的主要元器件TFT和OLED进行性能分析,包括测试所制备的器件的性能曲线和提取其主要的电学参数。然后利用H-Spice电路仿真软件中比较成熟的低温多晶硅TFT（LTPS TFT）的模型来拟合所测试的MOTFT和OLED的电学特性,并且得到了拟合效果很好的仿真器件模型,为像素电路的性能评估提供了比较精确的模拟仿真基础。其次,本文提出了一次锁存的编程原理及其像素电路,该编程方案可以提高像素电路的编程速度,使得相应的AMOLED补偿型像素电路能够更好的适用于高分辨率、大尺寸面板以及三维显示。但是该编程方案中的补偿帧和非补偿帧的编程速度不一致,从而导致了补偿帧和非补偿帧的发光时间不一致,导致编程方案变得复杂。所以本文从一次锁存的编程方案上还发展了混合并行的编程方案,完美的解决了一次锁存中补偿帧和非补偿帧的编程速度不一致的问题,而且我们也提出了相应的补偿型像素电路。其中一个补偿型像素电路可以很好的解决驱动晶体管阈值电压不一致所带来的显示屏不均匀性问题。而另外一个改进型的补偿型像素电路不仅能够补偿驱动晶体管的阈值电压不均匀性,而且还能随着OLED的衰退适当增大流过OLED的电流,从而很好地解决OLED在恒电流下其亮度也会随时间衰退的问题。并且通过模拟仿真和实验验证,这几种像素电路在对应的高速编程方案下都可以很好的工作,并且达到很好的补偿效果。最后,本文还针对MOTFT的阈值电压在零伏附近（即存在正极性和负极性）的特性提出了一个补偿型像素电路。该像素电路不仅能够适应于只存在正阈值电压特性的多晶硅N型TFT,还能够同时补偿具有负阈值电压特性的N型TFT,因此非常适合同时存在正极性和负极性的阈值电压特性的MOTFT。并且通过模拟仿真和实验验证,不管驱动晶体管的阈值电压是正极性还是负极性,该像素电路都可以很好的对其进行补偿。
严利民[4]（2014）在《硅基有机发光二极管微显示器的驱动技术研究》文中认为微显示技术是新兴的显示技术，它的出现极大的方便了工业产品的设计，减少了显示器的空间占有体积，降低了便携产品的功耗，延长了设备的使用续航时间，在军用及民用产业中都有着非常广泛的应用。因此，对微型显示技术的研究就有着广泛的现实意义和商业价值。随着有机发光技术的兴起，近几年来硅基有机发光二极管微显示器也开始逐渐成为业内研究的热点，但这项技术目前尚处于积累阶段，各项关键技术大都被发达国家所垄断。本文把硅基有机发光二极管微显示器的驱动技术作为研究对象，对像素驱动电路、扫描驱动控制等技术进行了研究，提出了一套切实可行的驱动方法。论文的工作主要有以下几方面：（1）分析了微显示技术的发展现状，介绍了有机发光二极管显示技术，并根据实验室制备的OLED器件的测试数据，使用Matlab工具进行模型函数的拟合，求得拟合参数并采用Verilog-A语言建立了OLED的仿真模型，经仿真该模型能准确反映OLED的V-I特性。此方法提供了一种快速、简便建立OLED模型的途径。（2）对硅基有机发光二极管的像素驱动电路进行了详细的分析，讨论了电压型和电流型的像素补偿电路，最终采用静态存储电路作为OLED-on-Silicon像素驱动电路，并设计了包括数据存储电路和电压驱动电路在内的像素电路，给出了详细的晶体管尺寸设计步骤和仿真数据。从稳定性、速度与面积等角度进行了分析，确定了像素单元驱动电路晶体管的尺寸。（3）介绍了现有的扫描策略的实现原理，定义了三种扫描矩阵，定性地对比分析了各种策略的优点和不足，最终采用线性权值按位扫描子空间划分策略，并给出了具体的划分方案算法，提高了扫描利用率。（4）详细介绍了基于遗传算法的权值扫描矩阵搜索策略，设计了两种编码方式和罚函数应用于搜索高灰度级的权值扫描矩阵，并通过实验验证可搜索出满足要求的256级权值扫描矩阵。（5）给出了硅基有机发光二极管微显示器的设计方案，包括像素区域、行、列控制模块以及扫描驱动模块的设计方案。开发了一款基于SMIC0.35μm2P4M工艺下的硅基芯片，芯片总面积为26.20mm×21.36mm，微显示器的分辨率为1024×1280×3、灰度等级为256级。测试结果表明，其发光亮度可以基本满足人眼直接观看的要求。
周雷[5]（2013）在《OLED像素驱动电路设计》文中指出有源矩阵有机发光二极管（AMOLED）可实现高分辨率和大尺寸面板显示，具有响应速度快、工作电压低、宽视角、可柔性弯曲等优点，是继液晶平板显示之后的又一新型平板显示技术。与液晶不同，OLED需要稳定的电流来控制发光亮度，而传统的2个薄膜晶体管（TFT）和1个电容构成的像素驱动电路（简称2T1C电路）无法保证均匀性显示的要求，因而开展具有阈值电压补偿功能的像素电路研究以满足AMOLED显示面板的均匀性要求具有重要的研究意义。本文首先对AMOLED像素设计的共性问题做了研究。显示屏在实现白平衡时，其红绿蓝子像素发光亮度将遵循一定的亮度配比，本文分析并计算了如何实现一定发光亮度要求的显示面板的白平衡。同时，结合MOTFT和OLED器件的参数，基于2T1C电路，给出了设计参数选取的方法，为补偿像素电路的参数选取提供了参考依据。结合2T1C电路工作原理，从理论上分析了其非均匀性产生的因素，并从实验加以验证。理论和实验都表明，传统2T1C结构的AMOLED显示屏不适合高质量的商业化显示应用，必须开发具有补偿功能的像素电路。为了补偿TFT阈值电压漂移以及OLED的退化，本文设计了电压编程型5T2C像素电路，与先前同类电路相比，该像素电路在编程阶段OLED不发光，可以实现高的显示对比度。为了使补偿电路能够延缓OLED器件的退化，本文设计了一种交流驱动4T1C像素电路，在每一帧画面OLED会有一段时间处于反偏状态，从而恢复OLED的特性，与本文5T2C像素电路相比，该交流驱动4T1C像素电路减少了一个TFT和一个电容，从而可以实现更高的开口率（44%）。为了使设计的补偿电路还能够补偿TFT迁移率的漂移，本文又设计了电流编程型4T1C像素电路，与先前同类电路对比，该电流编程型4T1C电路通过巧妙的电容接法可以加快电荷充放电速度，从而缩短编程时间。本文针对各像素电路，还分析了速度、功耗、寄生参数对像素电路工作的影响以及影响发光电流非均匀性的关键因素，对AMOLED面板设计和分析有一定参考意义。
徐晓明,朱文清,张浩,张志林,蒋雪茵[6]（2009）在《有源矩阵有机电致发光像素电路的研究进展》文中指出有源驱动方式的有机发光二极管（AMOLED）较之无源驱动方式易于实现高亮度和高分辨率、功耗更小,更适合大屏幕显示。但传统的两管驱动电路会出现驱动管阈值电压在整个屏幕上分布不均匀,或长时间加偏压后驱动管的阈值电压发生漂移。本文在两管驱动电路的基础上介绍了几种最近提出的补偿电路并描述了它们的改善效果及各自存在的问题。
郭英英[7]（2009）在《有机发光显示器驱动电路研究》文中研究表明自从有机发光二极管OLED于1979年被发现以来,世界各地的研究组织就一直对它进行研究。随着研究的深入,以OLED为发光器件的各种显示设备逐渐进入量产。以索尼,三星为代表的显示器件的厂商生产大屏幕的OLED显示器,并逐步将OLED的应用领域扩大,中国清华大学的研究人员将OLED用于航天事业。本文正是在这样的背景下,对有机发光显示器进行研究。本文主要研究了OLED的灰度实现方案以及OLED的像素电路。在现有灰度方案的基础上,提出了面积比率灰度结合比率电流的灰度实现方案,通过与面积比率灰度的比较,可以发现这种灰度实现方法可以实现更多级的灰度。本文同时对子场比率灰度实现方案进行了仿真,采用本文提出的4-TFT的AMOLED像素电路作为仿真电路,用Hspice软件仿真实现了4-TFT AMOLED的子场灰度实现。考虑到2-TFT AMOLED像素驱动电路中,阈值电压的变化对流过OLED电流的影响,以及电压驱动方式带来的难于实现精确的灰度控制,本文提出了4-TFT的像素驱动电路,仿真证明该电路解决了上述2-TFT AMOLED像素驱动电路中出现的问题。
刘雪强[8]（2008）在《薄膜晶体管驱动OLED技术中关键问题的研究》文中进行了进一步梳理OLED（Organic Light-Emitting Diode）显示屏具有超薄、超轻、自发光、高清晰、制备成本低及可实现柔性显示等优点,近年来,OLED成为平板显示领域研究的热点。利用薄膜晶体管阵列实现OLED的有源驱动可以满足OLED高对比度、高信息含量显示的需要。围绕OLED有源驱动这个问题,本文按照从单管到电路单元、再到集成电路设计的顺序,研制了单管OTFT,在此基础上制备了有机电路单元,最后完成了128×96×3像素全彩色OLED屏有源驱动多晶硅TFT阵列布图设计。以ITO为衬底,分别制备了底栅结构和顶栅结构的CuPc薄膜晶体管。底栅结构的TFT是利用高分子聚合物（甲基丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸环氧丙脂）为绝缘层,三氧化钼做为有源层和源漏接触之间的缓冲层,在低功函数铝作为源漏金属的情况下,器件具有开启电压低,电流开关比高的特点。顶栅结构的OTFT利用高介电常数的CaF2为绝缘层,增大了器件的开态电流,获得的器件具有较高的迁移率。提取了顶栅结构OTFT在H-SPICE下模型的参数,用此模型对OTFT构成的电路单元进行仿真。在此基础上,制备了基于顶栅结构薄膜晶体管的反相器、与非门、电流镜等基本电路单元,并对电路单元的性能进行了测试。开展了低温多晶硅薄膜晶体管有源驱动OLED的研究,经仿真确定了像素电路内各个参数的值,采用了128×96×3像素的全P沟道低温多晶硅薄膜晶体管驱动阵列的设计,完成将部分周边驱动与显示屏的像素阵列集成在一起的布图设计,有效地减少了外接引线的数目。针对设计工作,提出了一种电流测试方法来快速检测多晶硅TFT阵列驱动管工作状态,具有高精度、不影响开口率、对阵列无损伤等优点。
李云飞[9]（2008）在《有机电致发光显示器件的a-Si TFT像素电路模拟研究》文中认为有机电致发光显示器件（OLED）在近些年来发展迅猛,大尺寸、高分辨率OLED显示器成为研究的热点问题。实现高分辨率显示必需在像素驱动电路中引入薄膜晶体管（TFT）,即通常所说的有源驱动（AM）方案。TFT沟道的宽长比W/L,存储电容Cs,驱动电压等参数的取值在不同程度上影响着电路的工作性能,而利用AIM-SPICE软件对这些参数进行模拟、优化,有利于更深刻地了解TFT像素电路的工作原理,减少设计风险,是像素电路参数设计中经常采用的手段。本文设计了一款2.4英寸QVGA OLED显示屏。利用AIM-SPICE对存储电容、TFT沟道尺寸、驱动电压等参量进行模拟分析,对各参数对像素电路性能的影响进行模拟研究并给出最终参考值。同时,设计了此显示屏的版图,完成像素电路延迟的计算和模拟,证明此设计符合应用要求。对电流驱动和电压驱动两种类型阈值电压补偿像素电路进行了研究,发现在多管驱动电路中,驱动管在补偿期间和保持期间工作区域的差异是影响补偿效果和引起闪烁问题的根本原因,在参数设计中应得到重视。本文对电流驱动型补偿电路的开关管宽长比和驱动电压Vselect1,Vselect2,Vdd进行优化,成功地将驱动管在ON和OFF状态的工作区间重合在饱和区前端。最终模拟结果表明:引起闪烁的电流变化量最大仅为0.1mA,且随着阈值增加可以自动调节得到小于0.05mA的效果。对补偿电路优化后,最终得出两种电路阈值电压补偿的模拟结果:当驱动管阈值电压上升2.0V时,对于电流信号型阈值补偿电路,最大灰度电流（1.5uA）对应驱动电流下降6.0%,最小灰度电流（0.2uA）对应驱动电流下降29.8%;电压信号型阈值补偿电路最大灰度电压（6V）对应驱动电流下降12.4%,最小灰度电压（0.5V）对应驱动电流下降16.2%。
杨佳[10]（2007）在《VGA有源OLED屏上驱动电路的研究与设计》文中提出本文在对AM-OLED像素驱动电路的设计与参数的确定、对两种像素驱动电路进行多种方式的改进、集成在显示屏衬底上的栅源驱动电路的设计与应用、显示屏输入保护电路和输入缓冲器的设计及参数确定等方面做了大量的研究,并结合Hspice仿真软件对所设计的电路进行仿真验证。本文的主要内容如下:1.对几种常见的平板显示技术进行了概述与比较,着重说明了OLED技术的优势所在,并指出了OLED的发展对我国显示技术自主发展的重要意义和OLED显示技术中存在的问题。2.对OLED器件和TFT器件的结构进行了介绍,列举了OLED的多种驱动方式并进行比较,对TFT不同工作状态下的输出特性和翘曲响应特性进行分析。3.对两种形式的像素驱动电路（电压型像素驱动电路和电流型像素驱动电路）的结构及其工作原理进行研究,通过精确计算合理地选择器件参数,保证了像素驱动电路良好的工作性能。4.针对电压型和电流型像素驱动电路的一些不足进行改进,实现了增大开口率、延长器件寿命、配合源极驱动电路的分块技术等目的。5.合理利用基本单元电路对适合VGA分辨率、可进行模式选择的栅源驱动电路进行设计。6.通过对TFT的击穿特性、二极管保护电路和施密特触发器的分析,对显示屏输入保护电路和输入缓冲器加以设计,为显示屏的正常工作提供了保障。7.对全文进行总结,指出今后的工作和待研究的方向。
二、多晶硅TFT有源OLED两管像素电路的研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、多晶硅TFT有源OLED两管像素电路的研究（论文提纲范文）
（1）基于全P型LTPS-TFT的电压编程型像素补偿电路设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 AMOLED像素补偿电路研究现状 |
| 1.3 像素电路尚待解决的关键问题 |
| 1.3.1 电压降问题 |
| 1.3.2 闪烁现象 |
| 1.3.3 载流子迁移率漂移 |
| 1.4 本文研究的重点与难点 |
| 1.5 本文主要内容及结构 |
| 第2章 AMOLED显示面板技术 |
| 2.1 AMOLED显示原理 |
| 2.2 传统2T1C原理 |
| 2.2.1 传统2T1C像素电路结构及原理 |
| 2.2.2 OLED器件特性 |
| 2.2.3 低温多晶硅的器件特性 |
| 2.3 2T1C像素电路非均匀性仿真 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 电压编程型5T2C像素补偿电路设计 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 5T2C像素补偿电路工作原理 |
| 3.2.1 像素补偿电路结构 |
| 3.2.2 像素补偿电路原理 |
| 3.3 5T2C像素补偿电路仿真与分析 |
| 3.3.1 SPICE仿真说明 |
| 3.3.2 阈值电压变化对电路的影响 |
| 3.3.3 I-R降对电路的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 电压编程型5T1C像素补偿电路设计 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 5T1C像素补偿电路工作原理 |
| 4.2.1 像素补偿电路结构 |
| 4.2.2 像素补偿电路原理 |
| 4.3 5T1C像素补偿电路仿真与分析 |
| 4.3.1 SPICE仿真说明 |
| 4.3.2 阈值电压变化对电路的影响 |
| 4.3.3 I-R降对电路的影响 |
| 4.4 补偿迁移率的5T1C电路的原理和仿真结果 |
| 4.4.1 补偿迁移率的5T1C电路的原理 |
| 4.4.2 仿真结果分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 总结和展望 |
| 5.1 论文的总结 |
| 5.2 后续工作展望 |
| 参考文献 |
| 项目资助情况 |
| 附录1 攻读硕士学位期间发表的学术论文 |
| 附录2 硕士期间参与的项目 |
| 致谢 |
（2）补偿阈值电压和迁移率的电压编程型像素电路设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题的研究背景及意义 |
| 1.2 像素电路设计的国内外研究现状 |
| 1.2.1 传统2T1C像素电路 |
| 1.2.2 补偿阈值电压像素电路 |
| 1.2.3 补偿阈值电压和迁移率像素电路 |
| 1.3 电路设计中的主要问题 |
| 1.4 本文的主要内容及结构 |
| 第2章 全P型6T2C像素电路设计 |
| 2.1 像素电路结构与原理 |
| 2.1.1 像素电路结构 |
| 2.1.2 像素电路原理 |
| 2.2 电路仿真与结果分析 |
| 2.2.1 电路仿真 |
| 2.2.2 结果分析 |
| 2.3 版图设计 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 N-P混合型5T2C像素电路设计 |
| 3.1 像素电路结构与原理 |
| 3.1.1 像素电路结构 |
| 3.1.2 像素电路原理 |
| 3.2 电路仿真与结果分析 |
| 3.2.1 电路仿真 |
| 3.2.2 结果分析 |
| 3.3 版图设计 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 全N型5T2C像素电路设计 |
| 4.1 像素电路结构与原理 |
| 4.1.1 像素电路结构 |
| 4.1.2 像素电路原理 |
| 4.2 电路仿真与结果分析 |
| 4.2.1 电路仿真 |
| 4.2.2 结果分析 |
| 4.3 版图设计 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 作者攻读硕士学位期间的学术成果 |
| 致谢 |
（3）基于金属氧化物TFT的AMOLED像素电路研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 有机电致发光显示技术概述 |
| 1.2 有机电致发光显示的驱动原理 |
| 1.2.1 传统2T1C像素电路的工作原理 |
| 1.2.2 电压编程型的像素补偿电路的发展 |
| 1.2.3 金属氧化物薄膜晶体管的发展状况 |
| 1.3 本论文研究的主要目的和工作内容 |
| 第二章 MOTFT及OLED的特性分析 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 MOTFT的参数提取和仿真模型拟合 |
| 2.2.1 MOTFT的参数测试及分析 |
| 2.2.2 MOTFT的H-Spice仿真模型建立 |
| 2.2.3 TFT的均匀性分析 |
| 2.3 OLED的参数提取和仿真模型拟合 |
| 2.3.1 OLED的参数分析 |
| 2.3.2 OLED的H-Spice仿真模型建立 |
| 2.3.3 OLED的衰减特性分析 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 AMOLED高速编程方法及其像素电路设计 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 一次锁存的编程方法及其像素电路设计 |
| 3.2.1 编程方法及像素电路的原理 |
| 3.2.2 像素电路的仿真及其验证 |
| 3.3 混合并行的编程方法及其像素电路设计 |
| 3.3.1 编程方法及像素电路的原理 |
| 3.3.2 像素电路的设计分析 |
| 3.3.3 像素电路及编程方法的验证 |
| 3.4 混合并行的5T2C像素电路的改进设计 |
| 3.4.1 像素电路拓扑及工作原理 |
| 3.4.2 像素电路的验证 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 一种新型的像素电路设计及分析 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 新型5T2C像素电路设计 |
| 4.2.1 像素电路的拓扑及工作原理 |
| 4.2.2 像素电路的验证 |
| 4.3 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 附表 |
（4）硅基有机发光二极管微显示器的驱动技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 图表目录 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题研究的背景意义 |
| 1.2 微显示技术介绍与国内外研究背景 |
| 1.3 论文的主要意义、研究内容和创新点 |
| 1.4 论文安排 |
| 第二章 OLED 显示技术及其仿真模型的建立 |
| 2.1 有机发光二极管的发光原理 |
| 2.2 有机发光二极管的器件结构 |
| 2.3 有机发光二极管仿真模型的建立 |
| 2.3.1 有机发光二极管的 V-I 特性 |
| 2.3.2 建立 OLED 仿真模型 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 硅基有机发光二极管像素驱动电路研究 |
| 3.1 有机发光二极管的驱动方式 |
| 3.1.1 有机发光二极管的扫描方法 |
| 3.1.2 有机发光二极管的驱动方式 |
| 3.1.3 PM-OLED 与 AM-OLED 驱动方式的电路原理 |
| 3.1.4 有机发光二极管的无源矩阵驱动 |
| 3.1.5 有机发光二极管的有源矩阵驱动 |
| 3.1.6 无源矩阵驱动方式和有源矩阵驱动方式的比较 |
| 3.2 AM-OLED 像素驱动电路分析 |
| 3.2.1 AM-OLED 的典型两管像素电路分析 |
| 3.2.2 具有电压补偿功能的像素电路分析 |
| 3.2.3 具有电流补偿功能的像素电路分析 |
| 3.3 硅基有机发光二极管像素驱动电路的设计 |
| 3.3.1 像素驱动电路结构 |
| 3.3.2 数据存储电路的设计 |
| 3.4 电压驱动电路中晶体管的设计 |
| 3.5 像素驱动阵列的设计 |
| 3.5.1 行缓存器的设计 |
| 3.5.2 像素驱动基本阵列模块的设计 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 扫描驱动策略的研究 |
| 4.1 灰度的概念及灰度调制 |
| 4.2 时间灰度调制 |
| 4.2.1 比较灰度扫描 |
| 4.2.2 权值按位扫描 |
| 4.2.3 子空间权值按位扫描 |
| 4.2.4 非线性权值按位扫描 |
| 4.2.5 自相似扫描 |
| 4.2.6 不同灰度控制方法的性能比较以及扫描方案的选定 |
| 4.3 扫描矩阵及参数定义 |
| 4.3.1 扫描矩阵的定义 |
| 4.3.2 参数定义 |
| 4.4 穷举搜索策略 |
| 4.5 对称权值迭代 |
| 4.5.1 对称矩阵及其迭代策略 |
| 4.5.2 对称权值迭代策略的性能分析 |
| 4.6 基于遗传算法的权值扫描矩阵搜索策略 |
| 4.6.1 遗传算法简介 |
| 4.6.2 基于遗传算法的权值扫描矩阵搜索策略方案一 |
| 4.6.3 基于遗传算法的权值扫描矩阵搜索策略方案二 |
| 4.7 本章小结 |
| 第五章 硅基有机发光二极管微显示器的设计方案 |
| 5.1 像素区域的设计方案 |
| 5.2 行、列控制模块的设计方案 |
| 5.3 硅基有机发光二极管微显示器的功能和时序分析 |
| 5.3.1 像素阵列模块的功能和时序 |
| 5.3.2 行控制模块的功能和时序 |
| 5.3.3 列控制模块的功能和时序 |
| 5.4 硅基有机发光二极管微显示器的扫描驱动模块的设计 |
| 5.4.1 扫描驱动模块的总体介绍 |
| 5.4.2 像素矩阵的分布和译码设计 |
| 5.4.3 子空间序列生成模块 |
| 5.4.4 像素矩阵地址码生成模块 |
| 5.4.5 图像数据存取控制模块 |
| 5.5 硅基有机发光二极管微显示器的版图和芯片 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 作者在攻读博士学位期间公开发表的论文 |
| 作者在攻读博士学位期间参与的项目 |
| 致谢 |
| 附录 1 OLED 器件测试数据 |
| 附录 2 三种搜索策略得到的 32 级灰度扫描矩阵 |
| 附录 3 遗传算法所求得的部分扫描矩阵 |
| 附录 4 遗传算法的主函数与惩罚函数的核心代码 |
（5）OLED像素驱动电路设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景和意义 |
| 1.2 应用于 AMOLED 显示的像素电路研究历史及发展现状 |
| 1.3 本文的主要工作 |
| 第二章 像素电路设计的共性问题研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 白平衡设计 |
| 2.3 2T1C 像素电路原理 |
| 2.4 氧化物 TFT 和 OLED 的器件特性 |
| 2.5 像素电路参数选取 |
| 2.5.1 驱动 TFT 宽长比 |
| 2.5.2 存储电容 |
| 2.5.3 开关 TFT 宽长比 |
| 2.6 2T1C 像素电路非均匀性分析 |
| 2.6.1 TFT 阈值电压的漂移 |
| 2.6.2 OLED 器件的退化 |
| 2.6.3 基于 2T1C 结构的 AMOLED 显示屏 |
| 2.7 本章小结 |
| 第三章 补偿像素电路设计 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 电压编程型 5T2C 像素电路设计 |
| 3.2.1 5T2C 电路工作原理 |
| 3.2.2 5T2C 电路仿真与分析 |
| 3.3 电压编程型 4T1C 交流驱动像素电路 |
| 3.3.1 交流驱动像素电路介绍 |
| 3.3.2 4T1C 交流电路工作原理 |
| 3.3.3 4T1C 交流电路仿真与分析 |
| 3.4 电流编程型 4T1C 像素电路 |
| 3.4.1 4T1C 电流编程电路工作原理 |
| 3.4.2 4T1C 电流编程电路仿真与分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 附件 |
（6）有源矩阵有机电致发光像素电路的研究进展（论文提纲范文）
| 引言 |
| 1 传统两管驱动电路 |
| 2 多晶硅在大面积显示中的不均匀问题 |
| 3 非晶硅TFT的阈值电压与迁移率漂移问题 |
| 4 开口率问题 |
| 5 结论 |
（7）有机发光显示器驱动电路研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪言 |
| 1.1 OLED 的历史 |
| 1.2 OLED 的结构 |
| 1.3 OLED 的特点 |
| 1.4 LCD，LED 与 OLED 的区别 |
| 1.5 OLED 的发展前景 |
| 1.6 OLED 在中国的发展 |
| 1.7 本文的主要内容和安排 |
| 第二章 OLED 的驱动方式 |
| 2.1 OLED 的发光原理 |
| 2.2 无源驱动OLED(PMOLED) |
| 2.3 有源驱动OLED(AMOLED) |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 OLED 的灰度调制方案的改进以及仿真 |
| 3.1 模拟灰度调制 |
| 3.2 数字灰度调制 |
| 3.2.1 面积比率灰度调制（ARG） |
| 3.2.2 时间比率灰度调制 |
| 3.3 改进的灰度实现方案——面积比率灰度结合比率电流 |
| 3.4 用子场灰度调制方案实现4-TFT AMOLED 的灰度 |
| 3.5 小结 |
| 第四章 AMOLED 像素驱动电路的设计与仿真 |
| 4.1 薄膜晶体管（TFT） |
| 4.1.1 TFT 的结构和工作原理 |
| 4.1.2 TFT 的分类 |
| 4.2 TFT 的仿真时使用的模型参数 |
| 4.3 TFT 的转移特性曲线和输出特性曲线 |
| 4.4 像素等效电路中 OLED 的等效模型 |
| 4.5 两管像素驱动电路 |
| 4.6 AMOLED 新型驱动电路的设计与仿真 |
| 4.7 小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 |
（8）薄膜晶体管驱动OLED技术中关键问题的研究（论文提纲范文）
| 提要 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 薄膜晶体管的发展历史与研究现状 |
| 1.2 非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管和有机薄膜晶体管性能比较 |
| 1.2.1 非晶硅(a-Si)TFT 技术简介 |
| 1.2.2 多晶硅(Poly-Si)TFT 技术简介 |
| 1.2.3 有机(OTFT)技术简介 |
| 1.3 多晶硅薄膜晶体管制备技术及应用 |
| 1.3.1 低温多晶硅薄膜晶体管制备技术 |
| 1.3.2 多晶硅薄膜晶体管在AMOLED 中的应用 |
| 1.4 有机薄膜晶体管研究状况 |
| 1.4.1 有机薄膜晶体管的结构和分类 |
| 1.4.2 全有机显示技术的研究现状 |
| 1.5 本论文的主要工作 |
| 参考文献 |
| 第二章 高迁移率酞菁铜薄膜晶体管的制备和表征 |
| 2.1 底栅结构酞菁铜薄膜晶体管的研究 |
| 2.1.1 器件的结构和制备 |
| 2.1.2 源漏电极/有源层界面修饰 |
| 2.1.3 器件的测试及结果讨论 |
| 2.2 顶栅结构酞菁铜薄膜晶体管的场效应特性的研究 |
| 2.2.1 器件的结构和制备 |
| 2.2.2 绝缘层修饰对器件性能的影响 |
| 2.2.3 器件的性能测试及结果讨论 |
| 2.3 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 基于顶栅结构酞菁铜薄膜晶体管电路单元器件的研制 |
| 3.1 OTFT 模型参数提取与性能仿真 |
| 3.2 基于CUPC-OTFT 反相器电路的设计、仿真和制备 |
| 3.3 基于CUPC-OTFT 与非门电路的设计、仿真和制备 |
| 3.4 基于CUPC-OTFT 电流镜的结构设计、制备和测试 |
| 3.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 AMOLED 显示与周边驱动集成一体化的全P 沟道POLY-SI TFT 阵列布图设计的研究 |
| 4.1 全P 沟道LPTS POLY-SI TFT 行列驱动与显示区集成一体化的研究的意义 |
| 4.2 电路仿真与版图设计 |
| 4.2.1 单元像素驱动电路仿真 |
| 4.2.2 行列驱动的电路仿真 |
| 4.2.3 反相器、单元像素、移位寄存器的布图设计 |
| 4.2.4 行列驱动及整体布图设计 |
| 4.3 版图校验 |
| 4.3.1 DRC 校验 |
| 4.3.2 版图网表提取 |
| 4.3.3 LVS 校验 |
| 4.3.4 信号延迟分析 |
| 4.4 POLY-SI TFT 阵列测试电路的研究 |
| 4.4.1 检测方法的提出 |
| 4.4.2 测试方法与仿真分析 |
| 4.4.3 结论 |
| 4.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 总结 |
| 作者在读期间发表的学术论文及申报的专利 |
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
（9）有机电致发光显示器件的a-Si TFT像素电路模拟研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 引言 |
| 2 有机电致发光显示器(OLED)的驱动技术 |
| 2.1 OLED无源驱动技术 |
| 2.1.1 “交叉效应”和“串扰” |
| 2.1.2 无源驱动方式的局限 |
| 2.2 OLED有源驱动技术 |
| 2.2.1 非晶硅TFT技术特点 |
| 2.2.2 LTPS TFT技术特点 |
| 2.2.3 像素电路设计介绍 |
| 3 2.4英寸有源TFT OLED显示屏的设计 |
| 3.1 有源TFT OLED显示屏单元像素电路的选择 |
| 3.2 像素电路参数的计算 |
| 3.2.1 开关晶体管T1宽长比的确定 |
| 3.2.2 存储电容的确定 |
| 3.2.3 驱动晶体管T2宽长比的确定 |
| 3.2.4 跳变电压的计算 |
| 3.3 像素电路参数的模拟研究 |
| 3.3.1 OLED模型的提取 |
| 3.3.2 像素电路充电特性的模拟研究 |
| 3.3.3 电容保持特性的模拟研究 |
| 3.3.4 跳变电压的模拟研究 |
| 3.3.5 驱动晶体管T2电流特性的模拟研究 |
| 3.4 像素发光方向的选择和电路版图的设计 |
| 3.4.1 发光方向的选择 |
| 3.4.2 a-Si TFT OLED版图设计 |
| 3.5 恒定电流型a-Si: H TFT OLED像素电路延迟的计算和模拟 |
| 3.5.1 像素电路中的寄生电容 |
| 3.5.2 电容耦合与信号延迟的计算 |
| 3.5.3 信号延迟对存储电容充电率影响的模拟 |
| 4 有机电致发光显示器件阈值电压补偿像素电路模拟研究 |
| 4.1 电流信号型多管像素驱动电路模拟研究 |
| 4.1.1 等效电路和驱动管工作状态的模拟研究 |
| 4.1.2 选通工作期间等效电路的优化设计 |
| 4.1.3 非选通期间等效电路的优化设计 |
| 4.1.4 两等效电路共同工作时T4工作区间的优化设计 |
| 4.1.5 电路性能和补偿效果的模拟研究 |
| 4.2 电压信号型多管像素驱动电路模拟研究 |
| 4.2.1 放电式阈值电压补偿电路工作原理 |
| 4.2.2 充电准备阶段的模拟研究 |
| 4.2.3 放电补偿阶段的模拟研究 |
| 4.2.4 电路补偿效果的模拟研究 |
| 4.3 电流信号型和电压信号型补偿电路的比较 |
| 5 结论 |
| 参考文献 |
| 作者简历 |
| 学位论文数据集 |
（10）VGA有源OLED屏上驱动电路的研究与设计（论文提纲范文）
| 提要 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 几种主要的平板显示器及其比较 |
| 1.3 OLED 器件的发展概述 |
| 1.4 当前OLED 显示技术中存在的问题 |
| 1.5 本文的研究内容 |
| 第二章 OLED 器件和多晶硅薄膜晶体管的模型分析 |
| 2.1 OLED 发光原理及器件结构 |
| 2.2 OLED 的模型建立 |
| 2.3 OLED 驱动技术概述 |
| 2.4 多晶硅薄膜晶体管的物理结构 |
| 2.5 多晶硅薄膜晶体管的物理模型分析 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 AM-OLED 像素驱动电路的研究与设计 |
| 3.1 有源两管电压型像素驱动电路 |
| 3.2 有源四管电流型像素驱动电路 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 像素驱动电路的改进 |
| 4.1 有源两管电压型像素驱动电路的改进 |
| 4.2 有源四管电流型像素驱动电路的改进 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 集成在衬底上的栅源驱动电路的研究与设计 |
| 5.1 集成在衬底上的栅源驱动电路设计 |
| 5.2 基本单元电路的设计 |
| 5.3 显示屏整体驱动电路结构设计 |
| 5.4 栅极驱动电路的设计与仿真 |
| 5.5 源极驱动电路的设计与仿真 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 输入保护电路和输入缓冲器的研究与设计 |
| 6.1 栅永久击穿电压 |
| 6.2 TFT 击穿特性 |
| 6.3 输入保护电路 |
| 6.4 管角悬空保护电路 |
| 6.5 输入缓冲器 |
| 6.6 本章小结 |
| 第七章 全文总结 |
| 7.1 主要工作和结论 |
| 7.2 今后待研究的问题 |
| 参考文献 |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 致谢 |
四、多晶硅TFT有源OLED两管像素电路的研究（论文参考文献）
- [1]基于全P型LTPS-TFT的电压编程型像素补偿电路设计[D]. 关肖飞. 南华大学, 2020(01)
- [2]补偿阈值电压和迁移率的电压编程型像素电路设计[D]. 黄勇. 南华大学, 2019(01)
- [3]基于金属氧化物TFT的AMOLED像素电路研究[D]. 夏兴衡. 华南理工大学, 2016(02)
- [4]硅基有机发光二极管微显示器的驱动技术研究[D]. 严利民. 上海大学, 2014(07)
- [5]OLED像素驱动电路设计[D]. 周雷. 华南理工大学, 2013(01)
- [6]有源矩阵有机电致发光像素电路的研究进展[J]. 徐晓明,朱文清,张浩,张志林,蒋雪茵. 现代显示, 2009(02)
- [7]有机发光显示器驱动电路研究[D]. 郭英英. 上海交通大学, 2009(S1)
- [8]薄膜晶体管驱动OLED技术中关键问题的研究[D]. 刘雪强. 吉林大学, 2008(11)
- [9]有机电致发光显示器件的a-Si TFT像素电路模拟研究[D]. 李云飞. 北京交通大学, 2008(08)
- [10]VGA有源OLED屏上驱动电路的研究与设计[D]. 杨佳. 吉林大学, 2007(04)