R80P射频宽带功率NiZn铁氧化体材料研究

论文摘要

本文介绍了射频宽带高功率NiZn铁氧体材料在射频宽带功率器件中的应用及发展前景。分析了射频宽带高功率NiZn铁氧体材料在高频高功率应用情况下的损耗机理,并针对损耗机理制定了降低射频宽带高功率NiZn铁氧体材料高频损耗的方案。从材料配方和材料生产工艺两方面研究了影响射频宽带高功率NiZn铁氧体材料传输高频高功率信号效果的因素与材料的高频损耗特性之间的关系。讨论了如何根据高频弱场检测的材料参数结果来评价材料在高频高功率应用情况下的损耗。研究了应用于高频大功率场合的NiZn铁氧体功率材料的配方各成分含量和工艺因素对射频宽带高功率NiZn铁氧体材料的高频损耗和电磁参数的影响。采用NiZn缺铁配方,通过Co、V、Mn加杂等配方设计技术和高温预烧、低温烧结、预保温等工艺技术,研制出一种可应用于MHz频段的高频大功率NiZn铁氧体R80P材料,其性能水平与PHILIPS公司的4F1材料相当。总结了降低射频宽带高功率NiZn铁氧体材料高频损耗的方法,结论如下:1.研制射频宽带高功率NiZn铁氧体材料,采用NiZn缺铁配方,有助于降低材料的高频损耗。2.在配方中加入适量Co2O3、V2O5可降低材料的高频损耗。3.上述因素对材料综合性能产生的影响不一致,应寻求各组分的最佳含量,确保材料的综合性能达到最优。4.采用适当延长球磨时间、高温预烧、低温烧结、预保温等工艺手段可降低材料的高频损耗。5.虽然高频Q值和高频功耗密度的测量磁场不同,但两者之间存在Q值高则高频功耗密度低的关系。高频功耗密度的测量磁场更接近射频宽带高功率材料在实际应用时的工作磁场,因此,如果条件许可,应尽量测量材料的高频功耗密度,以更直观地反映材料的高频功耗大小。

论文目录

• 摘要
• ABSTRACT
• 第一章 引言
• 1.1 射频宽带高功率 NiZn 铁氧体材料的应用需求分析
• 1.2 NiZn 功率铁氧体材料国内外研究现状
• 1.3 本论文的选题和研究内容
• 第二章 R80P 材料的工作机理、配方设计和工艺设计
• 2.1 R80P 材料的工作机理及关键电磁参数
• 2.2 R80P 材料的配方设计
• 2.2.1 原材料的物理化学特性分析及选择
• 2.2.2 配方主要成分含量对R80P 材料电磁参数的影响
• 2.2.3 R80P 材料主成分含量对性能的影响
• 2.2.4 杂质添加量对R80P 材料电磁参数的影响
• 2.2.5 R80P 材料配方确定
• 2.3 R80P 材料的工艺设计
• 2.3.1 R80P 材料生产的工艺流程
• 2.3.2 R80P 材料工艺设计
• 2.3.3 R80P 材料的预烧结工艺
• 2.3.4 R80P 材料的球磨工艺
• 2.3.5 R80P 材料的成型工艺
• 2.3.6 R80P 材料的烧结工艺
• 第三章 结论与展望
• 3.1 本论文研究总结
• 3.2 前景展望
• 致谢
• 参考文献