脑缺血再灌注损伤的炎症分子生物学机制及羟乙葛根素的保护作用

脑缺血再灌注损伤的炎症分子生物学机制及羟乙葛根素的保护作用

论文题目: 脑缺血再灌注损伤的炎症分子生物学机制及羟乙葛根素的保护作用

论文类型: 博士论文

论文专业: 药理学

作者: 娄海燕

导师: 张岫美

关键词: 脑缺血再灌注,羟乙葛根素,髓过氧化物酶,粘附分子,细胞因子,核因子

文献来源: 山东大学

发表年度: 2005

论文摘要: 目的:缺血性脑血管疾病是严重危害人类健康的疾病之一,具有高发病率、高致残率的特点,是中老年人致死和致残的主要疾病。近年的研究显示,脑缺血再灌注后脑组织局部过度的炎症反应是造成再灌注损伤的主要原因之一,也是脑缺血继发性损伤的重要病理生理机制。缺血和再灌注早期产生的细胞因子和粘附分子构成了缺血性损伤向炎症性损伤转变的基础。研究表明,脑缺血时神经细胞、脑血管内皮细胞和胶质细胞中均有NF-κB活化。NF-κB是一种与脑缺血再灌注损伤的炎症机制有密切关系的转录因子,多种因素如细胞因子、氧化剂、缺血等均是NF-κB活化的刺激信号,NF-κB活化后可促进粘附分子、即早基因、细胞表面受体和细胞因子的基因表达,进一步加重脑缺血过程中的炎症反应。深入探讨NF-κB在脑缺血再灌注损伤中的变化规律并进而寻找影响的因素,可能为保护脑缺血性损伤开辟一条新的途径。 研究表明,葛根素可提高局部脑组织血流量,明显改善微循环,还可对抗星型胶质细胞肿胀及脑水肿。近年来研究发现葛根素对脑缺血再灌注后的炎症级联反应有一定的抑制作用。但是葛根素脂溶性低,不易透过血脑屏障(BBB),限制了其疗效的发挥。羟乙葛根素是葛根素经化学修饰得到的新型异黄酮类化合物,脂溶性增加,提高了血脑屏障通透率。以往的研究证明,羟乙葛根素能有效提高大鼠脑缺血再灌注损伤后脑组织的抗氧化和抗凋亡能力,对过氧化氢致牛脑微血管内皮细胞和大鼠脑星型胶质细胞的脂质过氧化损伤亦有保护作用。本实验采用血管内栓线阻断法(MCAO)造成大鼠大脑中动脉可逆性脑缺血再灌注损伤模型,研究炎性细胞、细胞因子、粘附分子、NF-κB等在局灶性脑缺血再灌注损伤中的作用,探讨缺血性脑损伤发生发展的病理生理学机制,寻找保护缺血性脑血管损伤的药物作用点;观察羟乙葛根素对大鼠局

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发布时间: 2005-10-17

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