金刚石基板论文-王双喜,刘高山,叶家星,张丹,胡梦夏

金刚石基板论文-王双喜,刘高山,叶家星,张丹,胡梦夏

导读:本文包含了金刚石基板论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献,主要关键词:晶须,纤维,热导率,金刚石

金刚石基板论文文献综述

王双喜,刘高山,叶家星,张丹,胡梦夏[1](2014)在《用一维金刚石制备氧化铝基复合陶瓷基板》一文中研究指出晶须或纤维是材料补强增韧的有效原料,近年来一直是新材料研究的热点,目前,主要的品种包括碳纤维、SiC晶须、钛酸铝晶须、氧化铝晶须等。传统的Al2O3或AlN低温共烧复合基板,由于玻璃等烧结助剂的加入,陶瓷基板可以实现在900℃以下的温度烧结,但基板导热率也由于玻璃的加入而显着降低。研究表明:高导热的纤维在复合材料中相互搭接形成叁维导热网络,可以显着增加复合材料的热导率。金刚石是世界上导热性能最好的材料,本研究探讨了采用一维金刚石作为导热高速网络材料制备金刚石-氧化铝陶瓷基板的可行性。(本文来源于《金刚石与磨料磨具工程》期刊2014年05期)

朱聪旭[2](2013)在《散热基板用金刚石颗粒增强复合材料的微观组织与热物理性能》一文中研究指出随着电子工业的繁荣和高密度封装设备的发展需要,传统的散热基板材料已经不能达到其性能要求。众所周知,单晶金刚石具有较高的热导率和较低的热膨胀系数等性能特点,因此金刚石复合材料已然成为散热基板新材料研究领域的热门。本文采用放电等离子烧结工艺,制备了具有优良热物理性能的金刚石-硅及金刚石-铜复合材料。采用场发射扫描电子显微镜(FSEM)、EDAX-能谱仪、X射线衍射(XRD)、导热系数测试仪及热膨胀系数测试仪等对材料微观组织及性能进行分析研究。金刚石-硅复合材料的研究表明,随着硅含量的增加降低了样品的烧结温度并增加了样品的相对密度;采用放电等离子原位反应技术能够制备相对密度高且热物理性能优越的Diamond/Si复合材料;烧结过程中在金刚石和硅基体界面反应产生了界面碳化硅相;硅有效降低了气孔并对金刚石在高温时的石墨化具有一定的阻碍作用;随着金刚石体积分数的增加,烧结样品的热导率急剧增加;界面微观组织尤其是基体硅与金刚石颗粒的界面键合对复合材料的热导率和热膨胀系数有直接关联;与真空烧结相比,在氩气条件下烧结得到的样品相对密度及热导率更高且热膨胀系数更低;添加烧结助剂Al的样品界面与没有添加的样品相比有很大不同,Al主要分布在硅和金刚石界面处;添加烧结助剂Al有利于提高样品的相对密度但其热导率下降;添加微量烧结助剂Ti有利于样品的致密化且能够提高样品的热导率;与采用低品质的FDP型金刚石(热导率约为1000W·m~(-1)·K~(-1))相比较,采用高品质的MBD8型金刚石(热导率约为2000W·m~(-1)·K~(-1))制备得到的金刚石-硅复合材料具有更优异的热物理性能。通过金刚石-铜复合材料的界面微观组织和热物理性能的研究显示,(Al, Si)包覆的金刚石颗粒均有效地提高了烧结样品的相对密度和热导率;对于Al包覆的Diamond-Cu复合材料而言,当金刚石体积分数为40%~50%条件下,样品热导率为491-565W/(m.K),在理论热导率的60%以上。Al包覆的金刚石-铜复合材料的热膨胀系数在Kerner模型和R-H模型理论值以下,说明了铜和金刚石颗粒之间具有较强的键接;对于Si包覆的Diamond-Cu复合材料而言,当金刚石体积分数为40%~50%条件下,样品热导率为450-535W/(m.K),在理论热导率的55%以上。在Maxwell-Eucken模型和Hasselman-Johnson模型基础上,考虑了相对密度对复合材料热传导理论的修正。(本文来源于《华中科技大学》期刊2013-05-01)

张梁娟,钱吉裕,孔祥举,韩宗杰[3](2011)在《基于裸芯片封装的金刚石/铜复合材料基板性能研究》一文中研究指出基板是裸芯片封装中热传导的关键环节。随着微电子技术的发展,组件热流密度越来越大,对新型基板材料的要求越来越高,要求具有高的热导率、低的热膨胀系数以及较低的密度。金刚石/铜复合材料作为新一代基板材料正得到愈来愈多的关注。文中分别通过实验和计算机仿真分析了金刚石/铜复合材料的镀覆性、焊接性以及作为基板材料的热性能。结果表明,金刚石/铜复合材料性能良好,可以作为裸芯片封装的基板材料。(本文来源于《电子机械工程》期刊2011年06期)

黄柏仁,叶忠信,李世鸿,汪岛军,陈昆歧[4](2008)在《利用前后处理技术改进钛/硅基板上的类金刚石场发射特性(英文)》一文中研究指出采用微波等离子体化学气相沉积系统在钛/硅基板上沉积类金刚石薄膜,并利用拉曼光谱仪、扫瞄式电子显微镜及原子力显微镜研究了氢等离子体前处理及快速退火后处理对类金刚石薄膜场发射特性之影响。在沉积类金刚石薄膜之前,钛/硅基板使用了两种前处理技术:第一种为研磨金刚石粉末,第二种为研磨金刚石粉末后外加氢等离子体刻蚀处理。成长类金刚石薄膜后进行快速退火处理。发现不论是氢等离子体前处理还是快速退火后处理皆能改善场发射特性,其中经退火后处理的场发射特性比氢等离子体前处理的场发射特性改善更明显。其因之一在于快速退火后处理可在类金刚石薄膜表面形成sp2丛聚,提供了很多的场发射子,也同时增加了表面粗糙度;另一个原因可能是在快速退火后处理期间会使类金刚石薄膜进一步石墨化,因而提供了许多电子在通过类金刚石薄膜时的传输路径。研究结果表明:利用适当的前后处理技术可改进类金刚石薄膜的场发射特性,进而做为冷阴极材料之应用。(本文来源于《新型炭材料》期刊2008年03期)

刘学璋,王柏春,许向阳,谢圣中,翟海军[5](2007)在《硬盘微晶玻璃基板的纳米金刚石抛光》一文中研究指出应用经良好分散的纳米金刚石对硬盘微晶玻璃基板进行抛光,获得了亚纳米级表面(0.618nm)。分析了纳米金刚石抛光的行为,展望了纳米金刚石在超精密抛光领域的应用。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2007年03期)

张明龙,夏义本,王林军,顾蓓蓓,杨莹[6](2005)在《CVD金刚石膜/硅为基板的微条气体室性能研究》一文中研究指出提出了一种新型的CVD金刚石膜/硅(ρ~1010Ω·cm)为基板的微条气体室,阳极宽度7μm阴极100μm,间距200μm。室温下,充以1.01×10-5PaAr+CH4混合气体时,采用5.9keV55FeX射线测量了探测器在不同高压和气体比例时的脉冲高度分布,详细讨论了高压和气体比例对能量分辨率的影响,结果表明该探测器具有较高的信噪比和能量分辨率。在Ar+10%CH4混合气体、-1100V漂移电压和-650V阴极电压工作条件下,微条气体室能量分辨率可达12.2%。(本文来源于《功能材料与器件学报》期刊2005年02期)

彭希林,廖传美,陈小林,戚小微[7](1992)在《用热灯丝辅助化学汽相沉积法在钼基板上沉积金刚石薄膜的研究》一文中研究指出用热灯丝铺助化学汽相沉积(HFACVD)法,以H_2十CH_4为原料在钼基板上沉积出了金刚石膜。用扫描电镜,X射线衍射,激光Raman光谱和光荧光谱对所得金刚石膜进行了分析。实验结果表明,钼基板表面先生成了1层Mo_2C,然后,金刚石再在此Mo_2C上形核生长。所沉积的金刚石膜中仍含有一定的SP~2态碳和中性空缺等缺陷。(本文来源于《北京矿冶研究总院学报》期刊1992年01期)

金刚石基板论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

随着电子工业的繁荣和高密度封装设备的发展需要,传统的散热基板材料已经不能达到其性能要求。众所周知,单晶金刚石具有较高的热导率和较低的热膨胀系数等性能特点,因此金刚石复合材料已然成为散热基板新材料研究领域的热门。本文采用放电等离子烧结工艺,制备了具有优良热物理性能的金刚石-硅及金刚石-铜复合材料。采用场发射扫描电子显微镜(FSEM)、EDAX-能谱仪、X射线衍射(XRD)、导热系数测试仪及热膨胀系数测试仪等对材料微观组织及性能进行分析研究。金刚石-硅复合材料的研究表明,随着硅含量的增加降低了样品的烧结温度并增加了样品的相对密度;采用放电等离子原位反应技术能够制备相对密度高且热物理性能优越的Diamond/Si复合材料;烧结过程中在金刚石和硅基体界面反应产生了界面碳化硅相;硅有效降低了气孔并对金刚石在高温时的石墨化具有一定的阻碍作用;随着金刚石体积分数的增加,烧结样品的热导率急剧增加;界面微观组织尤其是基体硅与金刚石颗粒的界面键合对复合材料的热导率和热膨胀系数有直接关联;与真空烧结相比,在氩气条件下烧结得到的样品相对密度及热导率更高且热膨胀系数更低;添加烧结助剂Al的样品界面与没有添加的样品相比有很大不同,Al主要分布在硅和金刚石界面处;添加烧结助剂Al有利于提高样品的相对密度但其热导率下降;添加微量烧结助剂Ti有利于样品的致密化且能够提高样品的热导率;与采用低品质的FDP型金刚石(热导率约为1000W·m~(-1)·K~(-1))相比较,采用高品质的MBD8型金刚石(热导率约为2000W·m~(-1)·K~(-1))制备得到的金刚石-硅复合材料具有更优异的热物理性能。通过金刚石-铜复合材料的界面微观组织和热物理性能的研究显示,(Al, Si)包覆的金刚石颗粒均有效地提高了烧结样品的相对密度和热导率;对于Al包覆的Diamond-Cu复合材料而言,当金刚石体积分数为40%~50%条件下,样品热导率为491-565W/(m.K),在理论热导率的60%以上。Al包覆的金刚石-铜复合材料的热膨胀系数在Kerner模型和R-H模型理论值以下,说明了铜和金刚石颗粒之间具有较强的键接;对于Si包覆的Diamond-Cu复合材料而言,当金刚石体积分数为40%~50%条件下,样品热导率为450-535W/(m.K),在理论热导率的55%以上。在Maxwell-Eucken模型和Hasselman-Johnson模型基础上,考虑了相对密度对复合材料热传导理论的修正。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

金刚石基板论文参考文献

[1].王双喜,刘高山,叶家星,张丹,胡梦夏.用一维金刚石制备氧化铝基复合陶瓷基板[J].金刚石与磨料磨具工程.2014

[2].朱聪旭.散热基板用金刚石颗粒增强复合材料的微观组织与热物理性能[D].华中科技大学.2013

[3].张梁娟,钱吉裕,孔祥举,韩宗杰.基于裸芯片封装的金刚石/铜复合材料基板性能研究[J].电子机械工程.2011

[4].黄柏仁,叶忠信,李世鸿,汪岛军,陈昆歧.利用前后处理技术改进钛/硅基板上的类金刚石场发射特性(英文)[J].新型炭材料.2008

[5].刘学璋,王柏春,许向阳,谢圣中,翟海军.硬盘微晶玻璃基板的纳米金刚石抛光[J].微纳电子技术.2007

[6].张明龙,夏义本,王林军,顾蓓蓓,杨莹.CVD金刚石膜/硅为基板的微条气体室性能研究[J].功能材料与器件学报.2005

[7].彭希林,廖传美,陈小林,戚小微.用热灯丝辅助化学汽相沉积法在钼基板上沉积金刚石薄膜的研究[J].北京矿冶研究总院学报.1992

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