有机给体—受体异质结纳米有序复合光电材料

有机给体—受体异质结纳米有序复合光电材料

论文摘要

光电功能器件的性能表现为激发态载流子的产生、解离和传输行为,复合材料的凝聚态结构对其激发态性能有着至关重要的影响。一维纳米有序复合结构增强的光致电荷转移可显著提高载流子的解离和传输效率,因而为优化光电功能器件性能的有效途径之一。通过有机半导体材料纳米薄膜形貌调控和高度有序纳米阵列结构的组装,可以提高半导体材料的载流子传输性能。本研究将有机半导体材料进行纳米级的复合,尤其是采用以无机材料低维结构为模板进行纳米有序复合的方法,增强载流子的分离和定向传输,从而达到光电功能协同增强的目的。本论文对实验制得的酞菁、苝酰亚胺、和C60半导体有序纳米结构及其阵列的光电性能进行了研究,为制备基于酞菁、苝酰亚胺和C60的复合材料的光电子器件提供了数据积累。本文首先综述了光电功能纳米薄膜在有机太阳能电池领域的应用研究,并具体介绍了基于酞菁染料、苝酰亚胺衍生物以及富勒烯C60纳米薄膜有机光伏器件的研究进展。本研究合成并提纯了金属酞菁、三明治型稀土酞菁和吡啶-苝酰亚胺,通过元素分析、紫外可见吸收光谱、红外吸收等手段对合成物质的化学结构及纯度进行表征。DSC-TGA分析表明,合成的酞菁和吡啶-苝酰亚胺分子具有较好的热稳定性。p型半导体材料稀土酞菁在酸性溶液中易被质子化,质子化的分子在外加电场作用下可定向迁移。基于这一现象,通过电泳沉积法在导电ITO玻璃上制得酞菁铒薄膜,并通过调节沉积时间、电场强度和退火处理条件调控酞菁铒薄膜的聚集态结构。实验结果表明,延长沉积时间、提高沉积电压可使酞菁铒以纳米线、微米线结构沉积于基片上,而通过退火处理可制得V型、Y型及花状形态的微米结构。采用紫外-可见吸收光谱与近红外吸收光谱研究了酞菁铒薄膜的光响应性能,发现稀土酞菁薄膜在可见光和近红外区均具有较高的光敏性,表明稀土酞菁可用于制备薄膜型红外探测器。同样,带有杂氮原子的n型半导体材料吡啶-苝酰亚胺亦可被质子化实现电泳沉积。因此,通过分步沉积与在混合溶液中共沉积的方法得到了稀土酞菁/吡啶-苝酰亚胺复合薄膜。通过薄膜形貌和吸收光谱表征发现,稀土酞菁由于含有更多的易质子化氮原子而具有较吡啶-苝酰亚胺更大的沉积速率。Ⅰ-Ⅴ特性曲线表明稀土酞菁/吡啶-苝酰亚胺复合薄膜显示p/n异质结的整流特性。采用高度有序的、具有垂直导电基板平行生长的纳米孔道的多孔阳极氧化铝(AAO)作为模板,通过电泳沉积或真空蒸镀的方法将酞菁铜、酞菁铒和吡啶-苝酰亚胺在模板孔内组装,得到了高度有序、定向生长的有机纳米线阵列结构。纳米线在模板中的生长遵循“bottom-up”生长模式,通过控制沉积时间可得到由底部开始生长的、填充不同程度的纳米线结构。纳米线的直径和长度可通过选用相应孔径和厚度的AAO模板进行调控。采用这一高度有序的吡啶-苝酰亚胺纳米线阵列作为光敏层制备的双层光导体器件具有比本体材料高出一个数量级的光电导。载流子的传输通道与传输方向一致是器件性能优化的主要原因。通过在AAO中电泳沉积得到酞菁纳米线阵列,而后在其表面蒸镀吡啶-苝酰亚胺得到的p/n异质结纳米光电器件表现出光伏特性。这一制备方法为获得有机复合光电功能有序纳米结构提供了一条新的制备思路。C60因其优异的电子传输性能在有机太阳能电池器件中得以广泛应用。用AAO作为模板,通过电泳沉积法将分散在混合溶液中的C60带电聚集体组装于AAO模板内,得到了垂直于导电基底生长的C60纳米阵列。相同的沉积条件下,使用Al和Au两种不同的导电基底分别得到了C60纳米线和纳米管两种不同的阵列结构。此外,本研究首次利用模板表面润湿方法得到了C60纳米线阵列,并对C60纳米线阵列的光导性能进行了研究,发现其光敏性相对于本体薄膜材料提高了一个数量级以上。通过对40、60、80 nm三种不同直径和4、8、10和15μm不同长度的C60纳米线阵列的光导性能对比研究,发现纳米线阵列的光导性能强烈依赖于纳米线的直径和长度,纳米线直径越小、长度越短,纳米线阵列的光电导性能则越好。

论文目录

  • 摘要
  • Abstract
  • 第一章 绪论
  • 1.1 纳米光电功能薄膜及在有机太阳能电池领域的应用研究
  • 1.1.1 薄膜有机太阳能电池领域的研究进展
  • 1.1.2 纳米结构薄膜在有机太阳能电池中的应用
  • 1.2 几种典型的半导体材料及其在太阳能电池领域的应用和研究
  • 1.2.1 酞菁和苝酰亚胺衍生物
  • 60'>1.2.2 C60
  • 1.3 电化学沉积法在制备有机半导体纳米线、薄膜中的应用
  • 1.3.1 半导体纳米线、薄膜的制备方法
  • 1.3.2 电化学沉积制备半导体纳米薄膜的研究进展
  • 1.3.2.1 电化学沉积制备金属和无机半导体纳米线、薄膜
  • 1.3.2.2 电化学沉积制备有机半导体纳米线、薄膜
  • 1.4 AAO模板法制备有机半导体纳米阵列的研究
  • 1.4.1 电化学沉积
  • 1.4.2 电泳沉积法
  • 1.4.3 模板填充法
  • 1.5 课题的提出及其意义
  • 参考文献
  • 第二章 酞菁及吡啶-苝酰亚胺有机光电材料的合成与表征
  • 2.1 酞菁类有机光电材料的合成与表征
  • 2.1.1 金属酞菁的合成
  • 2.1.2 稀土酞菁的合成
  • 2.1.2.1 无水氯化物的制备
  • 2.1.2.2 稀土酞菁的合成
  • 2.1.3 酞菁的表征
  • 2.1.3.1 元素分析
  • 2.1.3.2 红外(FTIR)光谱
  • 2.1.3.3 紫外-可见(UV-vis)吸收光谱
  • 2.1.3.4 近红外(NIR)吸收光谱
  • 2.1.3.5 DSC-TGA分析
  • 2.2 吡啶-苝酰亚胺(PPD)的合成与表征
  • 2.2.1 PPD的合成
  • 2.2.2 PPD的表征
  • 2.2.2.1 FTIR吸收光谱
  • 2.2.2.2 UV-vis吸收光谱
  • 2.2.2.3 DSC-TGA分析
  • 2.3 本章结论
  • 参考文献
  • 第三章 电泳沉积法制备酞菁铒/PPD纳米薄膜及其光电性能研究
  • 3.1 酞菁铒/PPD电泳沉积的机理
  • 3.1.1 酞菁/PPD的质子化、去质子化可逆过程
  • 3.1.2 UV-vis吸收光谱
  • 3.2 电泳沉积法制备稀土酞菁纳米薄膜
  • 3.2.1 稀土酞菁的电泳沉积过程
  • 3.2.1.1 溶液的配制
  • 3.2.1.2 电极的清洗
  • 3.2.1.3 电泳沉积
  • 3.2.2 稀土酞菁纳米薄膜形貌表征及影响因素
  • 3.2.2.1 沉积时间的影响
  • 3.2.2.2 电场强度的影响
  • 3.2.2.3 退火处理的影响
  • 3.2.3 稀土酞菁薄膜的生长机理
  • 3.2.4 酞菁纳米薄膜光敏性研究
  • 3.2.5 稀土酞菁薄膜的结晶性能
  • 3.3 电泳沉积法制备PPD纳米薄膜
  • 3.3.1 PPD的电泳沉积过程
  • 3.3.2 PPD纳米薄膜的形貌表征
  • 3.3.3 PPD纳米薄膜的光敏性研究
  • 3.4 电泳沉积法制备稀土酞菁/PPD异质结纳米复合薄膜
  • 3.4.1 稀土酞菁/PPD纳米复合薄膜的电泳沉积过程
  • 3.4.2 稀土酞菁/PPD纳米复合薄膜的表征
  • 3.4.2.1 形貌表征
  • 3.4.2.2 UV-vis吸收光谱
  • 3.4.2.3 XRD衍射分析
  • 3.4.2.4 光电性能研究
  • 3.5 本章结论
  • 参考文献
  • 第四章 模板法制备酞菁/PPD纳米线阵列及其光电性能研究
  • 4.1 一步和两步阳极氧化法制备高度有序的多孔氧化铝(AAO)模板
  • 4.1.1 高纯铝片的预处理
  • 4.1.2 铝片的氧化
  • 4.1.3 AAO膜的通孔
  • 4.2 有机纳米线阵列的制备与性能研究
  • 4.2.1 PPD纳米线阵列的制备与性能研究
  • 4.2.1.1 PPD纳米线阵列的制备
  • 4.2.1.2 薄膜形貌与制备工艺的关系
  • 4.2.1.3 PPD纳米线阵列的光电导性能
  • 4.2.2 酞菁类纳米线阵列的制备与性能研究
  • 4.2.2.1 酞菁类纳米线阵列的制备
  • 4.2.2.2 酞菁类纳米线阵列的表征
  • 4.3 酞菁/PPD异质结纳米有序复合材料的制备与性能
  • 4.3.1 酞菁/PPD异质结纳米有序复合结构的制备
  • 4.3.2 酞菁/PPD异质结纳米有序复合结构的表征
  • 4.3.3 酞菁/PPD异质结纳米有序复合结构的光电性能
  • 4.4 本章结论
  • 参考文献
  • 60纳米阵列及其光电性能研究'>第五章 模板法制备高度有序的C60纳米阵列及其光电性能研究
  • 60纳米阵列'>5.1 电泳沉积法制备C60纳米阵列
  • 60纳米线阵列'>5.1.1 电泳沉积制备C60纳米线阵列
  • 5.1.1.1 电泳溶液的配制
  • 5.1.1.2 电泳沉积过程
  • 60纳米线阵列的表征'>5.1.2 C60纳米线阵列的表征
  • 60纳米线阵列结构'>5.1.2.1 高度有序的C60纳米线阵列结构
  • 60纳米线的柔韧性'>5.1.2.2 C60纳米线的柔韧性
  • 60纳米线形貌的影响'>5.1.2.3 沉积电压对C60纳米线形貌的影响
  • 60纳米线的弯曲行为'>5.1.2.4 电场下C60纳米线的弯曲行为
  • 60纳米管阵列'>5.2 电泳沉积法制备C60纳米管阵列
  • 60纳米线阵列'>5.3 模板表面润湿法制备C60纳米线阵列
  • 60纳米线阵列'>5.3.1 模板表面润湿法制备C60纳米线阵列
  • 5.3.1.1 溶液的配制
  • 5.3.1.2 模板表面润湿过程
  • 60纳米阵列的表征'>5.3.2 C60纳米阵列的表征
  • 5.3.2.1 形貌表征
  • 5.3.2.2 UV-vis吸收光谱
  • 5.3.2.3 晶体结构
  • 5.3.3 生长过程
  • 60纳米线阵列的光电性能研究'>5.4 C60纳米线阵列的光电性能研究
  • 60纳米线阵列双层光导体的制备'>5.4.1 C60纳米线阵列双层光导体的制备
  • 5.4.2 光电导性能表征
  • 5.5 本章结论
  • 参考文献
  • 第六章 主要结论与创新点
  • 主要结论
  • 创新点
  • 附录
  • 作者简介
  • 攻读博士学位期间发表的论文
  • 致谢
  • 相关论文文献

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