论文摘要
Si基(Si、SiGe)应变材料迁移率高、能带结构可调,且其应用与Si工艺兼容,是当前国内外关注的研究领域和研究发展重点,在高速/高性能器件和电路中有极大的应用前景。能带结构是深入研究Si基应变材料基本属性,发展高速/高性能器件和电路的重要理论基础。目前,有关Si基应变(张应变、压应变)材料能带结构的理论研究鲜有报道,基于Si基应变材料物理机制,系统研究其能带结构有重要理论意义和应用价值。本论文基于Si基应变材料对称性分析,研究确定了双轴应变导带能谷的分裂及其简并度,通过线性形变势理论分析获得了导带能谷的能级。基于薛定格方程,考虑应变产生的形变势场,采用K·P微扰理论,研究建立了Si基应变材料导带E(k)-k关系模型,获得了导带能量分布、导带底k矢位置及其电子有效质量。同时,在研究应变哈密顿微扰基础上,建立了Si基双轴应变材料价带E(k)-k关系模型,获得了带边、亚带边、旋轨分裂带Γ点处能级、任意k矢方向的能量分布及空穴有效质量。通过以上研究,建立了Si基双轴应变材料的能带结构模型,该模型适用于任意晶向应变材料,为Si基应变材料及器件性能增强的研究设计奠定了重要理论基础。基于能带结构模型,研究建立了Si基双轴应变材料导带底和价带顶的态密度有效质量、状态密度、有效状态密度及本征载流子浓度模型,为Si基应变材料及器件电学特性研究奠定了重要的物理基础。研究建立了适用于CASTEP的应变Si物理参数模型,探讨了利用CASTEP软件分析应变Si能带结构的方法,为Si基应变材料能带结构及相关物理参数的研究分析提供了辅助手段。基于广义Hook定律,研究了Ge组份与应力间的转化关系,据此可将本文所建立的Si基应变材料能带结构等各种模型转化为直接利用应力强度表征的模型,实现了直接用应力强度研究、设计Si基双轴应变材料与器件,扩展了本文研究成果的应用范围。
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摘要Abstract第一章 绪论1.1 SI基应变技术1.1.1 Si基微电子技术面临的挑战1.1.2 Si基应变技术1.1.3 Si基应变技术的研究发展状况1.2 SI基应变材料能带研究意义及方法1.2.1 能带结构研究意义1.2.2 能带结构研究方法概述1.3 本论文工作内容第二章 应变实现方法2.1 应力引入技术概述2.1.1 机械力致应变技术2.1.2 全局应变技术2.1.3 源/漏(S/D)植入致应变技术2.1.4 SiN帽层应力引入技术2.1.5 应力释放引入应力技术2.1.6 应力记忆技术2.1.7 Ge预非晶化应力引入技术2.2 临界厚度及应力测定方法2.2.1 临界厚度2.2.2 应力测定方法2.3 本章小结第三章 SI基应变材料能带E(K)-K关系研究3.1 应变张量模型3.1.1 应变张量通解3.1.2 (001)、(111)、(101)应变张量3.2 SI基应变材料赝晶结构模型3.3 形变势模型3.4 定态微扰理论3.4.1 能级非简并情况3.4.2 能级简并情况3.5 SI基应变材料导带E(K)-K关系3.6 SI基材料价带E(K)-K关系3.6.1 弛豫Si价带E(k)-k关系3.6.2 Si基应变材料价带E(k)-k关系3.7 本章小结第四章 SI基应变材料基本物理参数模型研究4.1 SI基应变材料导带结构模型4.1.1 Si基应变材料导带能谷简并度4.1.2 Si基应变材料导带能谷能级4.2 SI基应变材料价带结构模型4.2.1 Si基应变材料价带Γ点处能级4.2.2 应变Si价带结构4.3 SI基应变材料空穴有效质量4.3.1 Si基应变材料空穴各向异性有效质量4.3.2 Si基应变材料空穴各向同性有效质量4.4 SI基应变材料态密度4.4.1 Si基应变材料导带底态密度4.4.2 Si基应变材料价带顶附近态密度4.5 SI基应变材料有效状态密度及本征载流子浓度4.6 本章小结第五章 基于CASTEP的应变SI能带结构分析5.1 CASTEP软件的主要理论5.1.1 密度泛函理论(DFT)5.1.2 赝势(Pseudopotential)5.1.3 分子轨道的自洽求解5.1.4 CASTEP软件的几项关键技术5.2 基于CASTEP的应变SI能带结构分析5.2.1 能带分析选项卡的设定5.2.2 能带分析结果5.3 结果分析与讨论5.3.1 (001)应变Si带边分析5.3.2 (101)应变Si带边分析5.3.3 (111)应变Si带边分析5.4 本章小结第六章 GE组份(X)与应力转化模型研究6.1 转化原理及模型研究6.2 (101)面双轴力与GE组分的关系6.3 结果分析与讨论6.4 本章小结第七章 结束语致谢参考文献研究成果
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