本文主要研究内容
作者孟猛,祁强,丁栋舟,赫崇君,施俊杰,任国浩（2019）在《新型闪烁晶体Gd3（Al,Ga）5O12:Ce3+的研究进展》一文中研究指出：无机闪烁晶体在核辐射探测领域有重要的应用,铈掺杂铝酸钆镓(Gd3（Al,Ga）5O12:Ce,缩写为GAGG:Ce)闪烁晶体性能优良,在高能物理、γ相机等应用领域有广阔的应用前景,因此成为了当前闪烁体领域的研究热点。本文总结了GAGG:Ce闪烁晶体近年来主要的研究进展;分析了GAGG:Ce晶体的结构及其稳定性;阐述了反位缺陷对晶体发光性能的影响;通过"带隙工程"理论解释了Gd、Ga离子掺杂消除反位缺陷的机理;总结了近年来GAGG:Ce晶体生长中存在的问题及解决途径;梳理了GAGG:Ce晶体的发光机理、闪烁性能及其影响因素;对各国团队通过阳离子掺杂的"缺陷工程"理论抑制GAGG:Ce晶体闪烁衰减慢分量的研究进行分析总结;展望了GAGG:Ce闪烁晶体发展方向。
Abstract
mo ji shan shuo jing ti zai he fu she tan ce ling yu you chong yao de ying yong ,shi can za lv suan ga jia (Gd3（Al,Ga）5O12:Ce,su xie wei GAGG:Ce)shan shuo jing ti xing neng you liang ,zai gao neng wu li 、γxiang ji deng ying yong ling yu you an kuo de ying yong qian jing ,yin ci cheng wei le dang qian shan shuo ti ling yu de yan jiu re dian 。ben wen zong jie le GAGG:Ceshan shuo jing ti jin nian lai zhu yao de yan jiu jin zhan ;fen xi le GAGG:Cejing ti de jie gou ji ji wen ding xing ;chan shu le fan wei que xian dui jing ti fa guang xing neng de ying xiang ;tong guo "dai xi gong cheng "li lun jie shi le Gd、Gali zi can za xiao chu fan wei que xian de ji li ;zong jie le jin nian lai GAGG:Cejing ti sheng chang zhong cun zai de wen ti ji jie jue tu jing ;shu li le GAGG:Cejing ti de fa guang ji li 、shan shuo xing neng ji ji ying xiang yin su ;dui ge guo tuan dui tong guo yang li zi can za de "que xian gong cheng "li lun yi zhi GAGG:Cejing ti shan shuo cui jian man fen liang de yan jiu jin hang fen xi zong jie ;zhan wang le GAGG:Ceshan shuo jing ti fa zhan fang xiang 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自人工晶体学报的孟猛,祁强,丁栋舟,赫崇君,施俊杰,任国浩，发表于刊物人工晶体学报2019年08期论文，是一篇关于闪烁晶体论文,掺杂论文,光输出论文,能量分辨率论文,人工晶体学报2019年08期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自人工晶体学报2019年08期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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