本文主要研究内容
作者刘丽杰（2019）在《二维过渡金属硫化物的制备、表征和饱和吸收特性研究》一文中研究指出：二维过渡金属硫化物(TMDs)作为一种新兴的二维材料,其不同寻常的结构特征和理想的光电性质取得了研究人员的广泛关注。本论文用二硒化钼(MoSe2)、二硫化钼(MoS2)、二硫化铼(ReS2)三种过渡金属硫化物作为研究对象,首先就少层二硫化钼和二硒化钼两种二维材料的基本性质和制备方法进行讨论,并且利用超声辅助液相剥离方法(UALPE)成功剥离得到了纳米厚度的MoSe2和MoS2,进行了样品形貌和拉曼散射、吸收光谱的分析研究。为了将二维材料应用到脉冲激光器中,本文将两种纳米片分散液通过旋涂转移到玻璃基板上,利用Z扫描研究了其可饱和吸收性能,最后将其作为可饱和吸收体插入到全固态1微米激光器中,实现了脉冲激光器的稳定运转。此外,本论文还对二维材料/半导体异质结进行了讨论,以二硫化铼/砷化镓(ReS2/GaAs)为研究对象,系统研究了其可控制备和光学性能,然后将其作为可饱和吸收体应用于全固态1微米固体激光器中。本论文具体工作内容如下:1.首先调研了国内外二维材料的研究现状和趋势,介绍了论文中出现的三种二维材料(MoSe2、MoS2和ReS2)的基本性质和应用价值,以及二维材料/半导体异质结的研究进展。最后介绍了二维材料的常用制备方法和表征手段。2.利用超声辅助液相剥离方法制备了少层二硒化钼和二硫化钼,并通过拉曼光谱、透射电子显微镜(TEM)、线性吸收光谱分析了两种二维材料的表面形貌和厚度信息,通过Z扫描方法探究了两种二维材料在1微米波段的可饱和吸收性质。3.将制备得到的MoSe2和MoS2两种二维材料作为可饱和吸收体插入搭建的Nd:GdVO4全固态激光器中,获得了稳定的调Q激光脉冲序列。当使用MoS2作为调制器时,增加泵浦功率可实现稳定的调Q运转,并且最短脉宽可达到261ns、最高脉冲重复频率可达到362kHz、最大峰值功率和单脉冲能量分别为1.27W和0.33μJ;当使用MoSe2作为可饱和吸收体时,可实现217.5ns的最短脉冲宽度、487.5kHz的最高重复频率、1.65W的峰值功率以及0.36μJ的脉冲能量的调Q运转。最后还对这两种二维材料的可饱和吸收能力进行了对比分析。这些实验结果都证实了二维过渡金属硫化物作为调Q调制器的潜质。4.实现了半导体异质结结构ReS2/GaAs的制备并将其用作可饱和吸收体实现了 1微米固体激光器的调Q运转,将ReS2/GaAs的调Q性能和单纯的GaAs调Q性能进行了对比分析,发现这种异质结结构能够有效缩短脉冲宽度,获得更大的脉冲能量和峰值功率。
Abstract
er wei guo du jin shu liu hua wu (TMDs)zuo wei yi chong xin xing de er wei cai liao ,ji bu tong xun chang de jie gou te zheng he li xiang de guang dian xing zhi qu de le yan jiu ren yuan de an fan guan zhu 。ben lun wen yong er xi hua mu (MoSe2)、er liu hua mu (MoS2)、er liu hua lai (ReS2)san chong guo du jin shu liu hua wu zuo wei yan jiu dui xiang ,shou xian jiu shao ceng er liu hua mu he er xi hua mu liang chong er wei cai liao de ji ben xing zhi he zhi bei fang fa jin hang tao lun ,bing ju li yong chao sheng fu zhu ye xiang bao li fang fa (UALPE)cheng gong bao li de dao le na mi hou du de MoSe2he MoS2,jin hang le yang pin xing mao he la man san she 、xi shou guang pu de fen xi yan jiu 。wei le jiang er wei cai liao ying yong dao mai chong ji guang qi zhong ,ben wen jiang liang chong na mi pian fen san ye tong guo xuan tu zhuai yi dao bo li ji ban shang ,li yong Zsao miao yan jiu le ji ke bao he xi shou xing neng ,zui hou jiang ji zuo wei ke bao he xi shou ti cha ru dao quan gu tai 1wei mi ji guang qi zhong ,shi xian le mai chong ji guang qi de wen ding yun zhuai 。ci wai ,ben lun wen hai dui er wei cai liao /ban dao ti yi zhi jie jin hang le tao lun ,yi er liu hua lai /shen hua jia (ReS2/GaAs)wei yan jiu dui xiang ,ji tong yan jiu le ji ke kong zhi bei he guang xue xing neng ,ran hou jiang ji zuo wei ke bao he xi shou ti ying yong yu quan gu tai 1wei mi gu ti ji guang qi zhong 。ben lun wen ju ti gong zuo nei rong ru xia :1.shou xian diao yan le guo nei wai er wei cai liao de yan jiu xian zhuang he qu shi ,jie shao le lun wen zhong chu xian de san chong er wei cai liao (MoSe2、MoS2he ReS2)de ji ben xing zhi he ying yong jia zhi ,yi ji er wei cai liao /ban dao ti yi zhi jie de yan jiu jin zhan 。zui hou jie shao le er wei cai liao de chang yong zhi bei fang fa he biao zheng shou duan 。2.li yong chao sheng fu zhu ye xiang bao li fang fa zhi bei le shao ceng er xi hua mu he er liu hua mu ,bing tong guo la man guang pu 、tou she dian zi xian wei jing (TEM)、xian xing xi shou guang pu fen xi le liang chong er wei cai liao de biao mian xing mao he hou du xin xi ,tong guo Zsao miao fang fa tan jiu le liang chong er wei cai liao zai 1wei mi bo duan de ke bao he xi shou xing zhi 。3.jiang zhi bei de dao de MoSe2he MoS2liang chong er wei cai liao zuo wei ke bao he xi shou ti cha ru da jian de Nd:GdVO4quan gu tai ji guang qi zhong ,huo de le wen ding de diao Qji guang mai chong xu lie 。dang shi yong MoS2zuo wei diao zhi qi shi ,zeng jia beng pu gong lv ke shi xian wen ding de diao Qyun zhuai ,bing ju zui duan mai kuan ke da dao 261ns、zui gao mai chong chong fu pin lv ke da dao 362kHz、zui da feng zhi gong lv he chan mai chong neng liang fen bie wei 1.27Whe 0.33μJ;dang shi yong MoSe2zuo wei ke bao he xi shou ti shi ,ke shi xian 217.5nsde zui duan mai chong kuan du 、487.5kHzde zui gao chong fu pin lv 、1.65Wde feng zhi gong lv yi ji 0.36μJde mai chong neng liang de diao Qyun zhuai 。zui hou hai dui zhe liang chong er wei cai liao de ke bao he xi shou neng li jin hang le dui bi fen xi 。zhe xie shi yan jie guo dou zheng shi le er wei guo du jin shu liu hua wu zuo wei diao Qdiao zhi qi de qian zhi 。4.shi xian le ban dao ti yi zhi jie jie gou ReS2/GaAsde zhi bei bing jiang ji yong zuo ke bao he xi shou ti shi xian le 1wei mi gu ti ji guang qi de diao Qyun zhuai ,jiang ReS2/GaAsde diao Qxing neng he chan chun de GaAsdiao Qxing neng jin hang le dui bi fen xi ,fa xian zhe chong yi zhi jie jie gou neng gou you xiao su duan mai chong kuan du ,huo de geng da de mai chong neng liang he feng zhi gong lv 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自山东大学的刘丽杰，发表于刊物山东大学2019-07-16论文，是一篇关于全固态激光器论文,二维过渡金属硫化物论文,二硒化钼论文,二硫化钼论文,二硫化铼论文,半导体异质结论文,山东大学2019-07-16论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自山东大学2019-07-16论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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