张梦圆:砷(Ⅲ)离子印迹聚合物的制备及吸附性能研究论文

张梦圆:砷(Ⅲ)离子印迹聚合物的制备及吸附性能研究论文

本文主要研究内容

作者张梦圆,马晓国,黄仁峰,李桂英(2019)在《砷(Ⅲ)离子印迹聚合物的制备及吸附性能研究》一文中研究指出:以磁性氧化石墨烯为载体,砷离子(As(Ⅲ))为模板离子,3-巯基丙基三甲氧基硅烷(MPTS)为功能单体,正硅酸乙酯(TEOS)为交联剂合成了As(Ⅲ)离子印迹磁性氧化石墨烯纳米材料(MGO-IIP),并使用扫描电子显微镜、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、X-射线衍射仪(XRD)和振动样品磁强计对合成材料进行了表征.同时,考察了MGO-IIP对As(Ⅲ)的吸附特性.结果表明:318 K下MGO-IIP对As(Ⅲ)的最大吸附量为148.1 mg·g-1,仅20 min即可达到吸附平衡,印迹因子为2.35;吸附过程服从Langmuir模型和准二级动力学模型,说明是自发的吸热过程;在其他干扰离子存在的情况下,MGO-IIP对As(Ⅲ)仍然具有良好的吸附效果,且能够重复使用4次,在含砷废水处理中具有应用价值.MGO-IIP材料对As(Ⅲ)的吸附机制为表面络合作用及物理吸附.

Abstract

yi ci xing yang hua dan mo xi wei zai ti ,shen li zi (As(Ⅲ))wei mo ban li zi ,3-qiu ji bing ji san jia yang ji gui wan (MPTS)wei gong neng chan ti ,zheng gui suan yi zhi (TEOS)wei jiao lian ji ge cheng le As(Ⅲ)li zi yin ji ci xing yang hua dan mo xi na mi cai liao (MGO-IIP),bing shi yong sao miao dian zi xian wei jing 、fu li xie bian huan gong wai guang pu (FTIR)、X-she xian yan she yi (XRD)he zhen dong yang pin ci jiang ji dui ge cheng cai liao jin hang le biao zheng .tong shi ,kao cha le MGO-IIPdui As(Ⅲ)de xi fu te xing .jie guo biao ming :318 Kxia MGO-IIPdui As(Ⅲ)de zui da xi fu liang wei 148.1 mg·g-1,jin 20 minji ke da dao xi fu ping heng ,yin ji yin zi wei 2.35;xi fu guo cheng fu cong Langmuirmo xing he zhun er ji dong li xue mo xing ,shui ming shi zi fa de xi re guo cheng ;zai ji ta gan rao li zi cun zai de qing kuang xia ,MGO-IIPdui As(Ⅲ)reng ran ju you liang hao de xi fu xiao guo ,ju neng gou chong fu shi yong 4ci ,zai han shen fei shui chu li zhong ju you ying yong jia zhi .MGO-IIPcai liao dui As(Ⅲ)de xi fu ji zhi wei biao mian lao ge zuo yong ji wu li xi fu .

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  • 论文详细介绍

    论文作者分别是来自环境科学学报的张梦圆,马晓国,黄仁峰,李桂英,发表于刊物环境科学学报2019年09期论文,是一篇关于离子印迹论文,选择性吸附论文,磁性氧化石墨烯论文,环境科学学报2019年09期论文的文章。本文可供学术参考使用,各位学者可以免费参考阅读下载,文章观点不代表本站观点,资料来自环境科学学报2019年09期论文网站,若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权,请联系我们删除。

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