本文主要研究内容
作者陈帅,周海芳,赖云锋（2019）在《铜纳米颗粒对氧化铪/氧化锌双介质层阻变特性的影响》一文中研究指出：通过微电子加工工艺制备了具有Ti/HfO_x:Cu NPs/ZnO/ITO结构的阻变存储器,研究铜纳米颗粒对器件阻变性能的影响.研究表明,铜纳米颗粒不仅使器件操作电压减小、并且更加均一,而且增大了器件高低阻态的电阻值比(开关比),高、低阻态电阻值更加稳定,表现出优异的耐擦写特性.纳米颗粒的引入还使低阻态的导电由普尔-法兰克发射机制主导转变为欧姆导电细丝主导.进一步研究发现,纳米颗粒增强了局部电场,不仅保证了较小电压下可产生更多的氧空位,还限定了导电细丝的位置.此外,铜纳米颗粒有利于降低器件操作电压并提高其均一性,有助于提高阻态电阻值的稳定性.
Abstract
tong guo wei dian zi jia gong gong yi zhi bei le ju you Ti/HfO_x:Cu NPs/ZnO/ITOjie gou de zu bian cun chu qi ,yan jiu tong na mi ke li dui qi jian zu bian xing neng de ying xiang .yan jiu biao ming ,tong na mi ke li bu jin shi qi jian cao zuo dian ya jian xiao 、bing ju geng jia jun yi ,er ju zeng da le qi jian gao di zu tai de dian zu zhi bi (kai guan bi ),gao 、di zu tai dian zu zhi geng jia wen ding ,biao xian chu you yi de nai ca xie te xing .na mi ke li de yin ru hai shi di zu tai de dao dian you pu er -fa lan ke fa she ji zhi zhu dao zhuai bian wei ou mu dao dian xi si zhu dao .jin yi bu yan jiu fa xian ,na mi ke li zeng jiang le ju bu dian chang ,bu jin bao zheng le jiao xiao dian ya xia ke chan sheng geng duo de yang kong wei ,hai xian ding le dao dian xi si de wei zhi .ci wai ,tong na mi ke li you li yu jiang di qi jian cao zuo dian ya bing di gao ji jun yi xing ,you zhu yu di gao zu tai dian zu zhi de wen ding xing .
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自福州大学学报(自然科学版)的陈帅,周海芳,赖云锋，发表于刊物福州大学学报(自然科学版)2019年04期论文，是一篇关于阻变存储器论文,氧化铪基论文,纳米颗粒论文,开关比论文,均一性论文,福州大学学报(自然科学版)2019年04期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自福州大学学报(自然科学版)2019年04期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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