导读:本文包含了抛光液的值论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:蓝宝石,抛光液,材料去除率,化学机械抛光
抛光液的值论文文献综述
董双阳,颜志强,刘祖耀,冉红锋,张俭[1]（2017）在《抛光液pH值、温度和浓度对蓝宝石抛光效率的影响》一文中研究指出目的研究抛光液pH值、温度和浓度对化学机械抛光蓝宝石去除率的影响,以提高抛光效率。方法采用CP4单面抛光试验机对直径为50.8 mm C向蓝宝石晶元进行化学机械抛光,通过电子分析天平对蓝宝石抛光过程中的材料去除率进行了分析,采用原子力显微镜(AFM)对蓝宝石晶元抛光前后的表面形貌和粗糙度(Ra)进行了评价。结果蓝宝石在化学机械抛光过程中的材料去除率均随抛光液pH值和温度的升高呈先增大后减小趋势。当抛光原液与去离子水按1:1的体积比混合配制抛光液,KOH调节pH值为12.2,水浴加热抛光液35℃时,蓝宝石抛光的材料去除率(MRR)达到1.119μm/h,Ra为0.101 nm。结论随着pH的增大,化学作用逐渐增强,而机械作用逐渐减弱,在pH为12.2的时候能达到平衡点,此时的MRR最佳;随着温度的升高,化学作用逐渐增强,而机械作用保持不变,抛光液温度为35~40℃时,化学作用与机械作用达到平衡,MRR最佳,当温度高于40℃后,抛光液浓度明显增大,而过高的浓度会导致MRR的减小。抛光液的相关性能优化后,化学机械抛光蓝宝石的MRR较优化前提高了71.4%。(本文来源于《表面技术》期刊2017年05期）
秦然,刘玉岭,王辰伟,闫辰奇,武鹏[2]（2015）在《pH值对低磨料碱性铜抛光液稳定性的影响》一文中研究指出稳定性是衡量化学机械抛光(CMP)中抛光液性能的一个重要指标,低磨料和低p H值是抛光液发展的方向。研究了不同p H值对低磨料碱性铜抛光液稳定性的影响。选取了磨料质量分数为1%的抛光液,加入磷酸调节p H值,得到p H值分别为7.3,8.11,9.21,10.02和11.04抛光液,测量比较了各组抛光液随存放时间的变化其p H值、磨料粒径、Zeta电位和铜去除速率的变化。结果表明,低磨料碱性铜抛光液的p H值随时间的延长而降低,磨料粒径也随存放时间的延长而变大,抛光液的Zeta电位的绝对值随p H值的降低而降低,铜的去除速率随抛光液的存放时间的增加而降低,当p H值为9.21~10.02时,抛光液存放时间超过48 h。(本文来源于《半导体技术》期刊2015年09期）
张琳琪,夏琳,彭进,邹文俊[3]（2014）在《pH值和表面活性剂对硅溶胶CMP抛光液的影响》一文中研究指出目的研究pH值以及表面活性剂种类对CMP抛光液稳定性及抛光性能的影响。方法向硅溶胶中加入酸性或碱性pH值调节剂,配制不同pH值的CMP抛光液;通过添加不同类型的表面活性剂,研究表面活性剂对抛光液的稳定机理。结果硅溶胶CMP抛光液pH值为9.5时,加入非离子表面活性剂,抛光90 min后,铝合金表面粗糙度降低了55.4%,光亮度增加了131%,抛光质量较好。结论弱碱环境下,抛光液的稳定性和抛光性能优良,非离子表面活性剂有利于CMP抛光液的稳定性。(本文来源于《表面技术》期刊2014年04期）
曹哲,刘玉岭,王辰伟,李海龙,蔡婷[4]（2013）在《pH值对碱性抛光液速率稳定性的影响》一文中研究指出通过分析pH值对碱性抛光液抛光速率稳定性的影响,得出了碱性抛光液抛光速率相对稳定的pH值区间,并与酸性抛光液进行了对比,在酸性环境中至少稳定24 h,pH≤4时甚至可稳定6天。在碱性环境中pH为8时稳定性效果较好。研究得出了不同体积分数的螯合剂对碱性抛光液速率稳定性的影响,河北工业大学微电子所研制的螯合剂为多羟多胺有机碱,具有调节pH的作用。随螯合剂的体积分数逐渐增加,碱性抛光液抛光速率的稳定性逐渐变差,因此在研究碱性抛光液配比时应注意螯合剂的体积分数,以提高稳定性。观察和分析了碱性抛光液在全pH值范围内的速率稳定性变化,并将碱性抛光液的pH值调至7以下,在不产生凝胶的前提下观察其速率的稳定性。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2013年09期）
贾世奎,李成贵,熊昌友,张庆荣[5]（2008）在《抛光液pH值对玻璃超光滑表面完整性影响》一文中研究指出为研究抛光液的pH值在精密抛光加工过程中对表面完整性的影响,选取K9玻璃为试件材料,用浮法抛光加工成超光滑表面,使用相同浓度的氢氟酸和氢氧化钠溶液对2个试件进行腐蚀,用原子力显微镜、扫描电镜和纳米硬度计测量作用不同时间段的表面质量,通过对比分析各作用时间段2个试件的表面粗糙度、表面形貌和表层硬度的相似和差异,研究了pH值对超光滑表面完整性的影响,得出在玻璃工件抛光加工中,抛光液为微碱环境有利于提高加工效率和得到高质量的超光滑表面。(本文来源于《新技术新工艺》期刊2008年03期）
朱永华,潘国顺,戴媛静,雒建斌,刘岩[6]（2007）在《抛光液pH值等对硬盘玻璃盘基片化学机械抛光的影响》一文中研究指出随着硬盘存储密度的增大、转速的提高、磁头飞行高度的降低,对硬盘基板材料及基板表面质量提出了更高的要求。采用纳米SiO2作为抛光磨料,在不同抛光液条件下(pH值、表面活性剂、润滑剂等),对玻璃基片化学机械抛光去除速率和表面质量的变化规律进行了研究,并利用原子力显微镜(AFM)和光学显微镜观察了抛光表面的微观形貌。结果表明,玻璃基片去除速率在酸性、碱性条件下变化趋势相近,即随着pH值的升高,材料去除速率先增大后减小。加入一定量的表面活性剂和润滑剂使得去除速率有一定程度的下降,但是表面粗糙度明显降低,并且表面没有出现颗粒吸附现象。(本文来源于《润滑与密封》期刊2007年11期）
韩敬华,冯国英,杨李茗,刘义彬,朱海波[7]（2006）在《抛光液的pH值对抛光元件表面粗糙度的影响》一文中研究指出减小大孔径超光滑玻璃表面的粗糙度是提高抛光质量的关键。实验研究了抛光过程中pH值对抛光元件表面粗糙度的影响。结果表明:抛光液的pH值对抛光元件表面粗糙度有较明显的影响;抛光过程中抛光液的pH值会随抛光时间而变化;抛光过程中,当保持抛光液处于微碱状态,且离抛光粉的等电离点较远时,抛光元件表面具有较小的粗糙度。(本文来源于《光学技术》期刊2006年04期）
徐进,苏亚,潘国顺,雒建斌[8]（2005）在《pH值和浓度对CeO_2抛光液性能影响的研究》一文中研究指出研究了氧化铈抛光液颗粒浓度和pH值的变化对抛光液悬浮性能、接触角和粘度的影响。结果表明:随着浓度和pH值的变化,氧化铈抛光液悬浮性能、接触角和粘度均出现变化。随着原始抛光液被逐渐稀释,抛光液的悬浮性能下降,接触角和粘度也减小,然而pH值的变化对它们的影响则较为复杂。(本文来源于《润滑与密封》期刊2005年04期）
苏致兴[9]（1986）在《正确控制抛光液pH值的理论基础及实验依据》一文中研究指出光学玻璃种类繁多,化学稳定性各异。欲用一种pH值的抛光液完成多种光学零件的抛光,从理论和实践两方面都是难以实现的。每种类型的光学玻璃有其抛光液的最佳pH值。本文的宗旨是寻求其规律性。(本文来源于《仪器制造》期刊1986年03期）
苏致兴,姜少华[10]（1983）在《混合氯化稀土对抛光液pH值的影响》一文中研究指出本文对七种典型光学玻璃的抛光添加剂作了研究,实验表明,国产的混合氯化稀土具有稳定抛光液pH值为中性的良好作用,文中提出了新的抛光液配方。(本文来源于《仪器制造》期刊1983年04期）
抛光液的值论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
稳定性是衡量化学机械抛光(CMP)中抛光液性能的一个重要指标,低磨料和低p H值是抛光液发展的方向。研究了不同p H值对低磨料碱性铜抛光液稳定性的影响。选取了磨料质量分数为1%的抛光液,加入磷酸调节p H值,得到p H值分别为7.3,8.11,9.21,10.02和11.04抛光液,测量比较了各组抛光液随存放时间的变化其p H值、磨料粒径、Zeta电位和铜去除速率的变化。结果表明,低磨料碱性铜抛光液的p H值随时间的延长而降低,磨料粒径也随存放时间的延长而变大,抛光液的Zeta电位的绝对值随p H值的降低而降低,铜的去除速率随抛光液的存放时间的增加而降低,当p H值为9.21~10.02时,抛光液存放时间超过48 h。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
抛光液的值论文参考文献
[1].董双阳,颜志强,刘祖耀,冉红锋,张俭.抛光液pH值、温度和浓度对蓝宝石抛光效率的影响[J].表面技术.2017
[2].秦然,刘玉岭,王辰伟,闫辰奇,武鹏.pH值对低磨料碱性铜抛光液稳定性的影响[J].半导体技术.2015
[3].张琳琪,夏琳,彭进,邹文俊.pH值和表面活性剂对硅溶胶CMP抛光液的影响[J].表面技术.2014
[4].曹哲,刘玉岭,王辰伟,李海龙,蔡婷.pH值对碱性抛光液速率稳定性的影响[J].微纳电子技术.2013
[5].贾世奎,李成贵,熊昌友,张庆荣.抛光液pH值对玻璃超光滑表面完整性影响[J].新技术新工艺.2008
[6].朱永华,潘国顺,戴媛静,雒建斌,刘岩.抛光液pH值等对硬盘玻璃盘基片化学机械抛光的影响[J].润滑与密封.2007
[7].韩敬华,冯国英,杨李茗,刘义彬,朱海波.抛光液的pH值对抛光元件表面粗糙度的影响[J].光学技术.2006
[8].徐进,苏亚,潘国顺,雒建斌.pH值和浓度对CeO_2抛光液性能影响的研究[J].润滑与密封.2005
[9].苏致兴.正确控制抛光液pH值的理论基础及实验依据[J].仪器制造.1986
[10].苏致兴,姜少华.混合氯化稀土对抛光液pH值的影响[J].仪器制造.1983