嵌入式氧化物制备和物理性能研究

嵌入式氧化物制备和物理性能研究

论文摘要

本论文主要介绍制备SiO2基质中镶嵌Si和ZnO硅纳米晶薄膜,并对薄膜的镶嵌结构和物理性能作分析研究。为了在更微观的区域研究嵌入方式对材料结构和物理性能的影响,选择层状结构Bi2Sr2CaCu20s (Bi-2212)高温超导体,在不同格位嵌入La, Mn离子,制备(Bi1-xLax)2Sr2CaCu2Oδ和(Bi1.7La0.3)2Sr2Ca(Cu1-xMnx)2Oδ粉体,研究其结构和物理性能。具体工作如下:1.采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法,在不同SiH4和CO2气体流量比率(GFRRSC)下,制备了二氧化硅基质中镶嵌硅纳米晶薄膜。微区拉曼光谱、红外吸收光谱、透射光谱,室温和变温光致发光光谱用来分析表征薄膜的结构和光学性质。结果表明,随着GFRRSC降低,硅晶粒平均尺寸逐渐减小;由于量子限制效应导致光学带隙逐渐展宽。同时,在1.4eV~2.4 eV能量区间发现多个发光峰。在低温下(80 K)观测到声子参与的发射光谱,表明在1.7 eV附近的发光峰源于Si-O振动模式参与的Si-SiO2界面的跃迁而形成的发光中心。同时,这个实验获得了化学配比SiO2薄膜,也为制备SiO2介质中包埋ZnO纳米晶粒做了前期工作。2.首次在单晶Si(100)衬底上采用PECVD方法制备SiO2基质中镶嵌ZnO纳米晶薄膜。分别在500,600,700,800,900℃下退火一个小时。通过X射线衍射谱,原子力显微镜和拉曼光谱对样品的结构进行了分析,结果表明ZnO纳米晶粒弥散在SiO2介质中;随着退火温度升高,ZnO纳米晶粒的晶界受到SiO2介质钉扎,晶粒几乎没有长大,而内部晶体结晶质量得到提高。退火温度对薄膜光学性质的影响通过光致发光进行了研究。结果表明,退火过程影响光学性能,在800℃下,获得了最强的紫外发射特性。并且可以推测位于紫外和可见光之间的发光带来源于SiO2和ZnO的界面态引起的发光中心。3.采用溶胶-凝胶(sol-gel)方法,以硝酸盐为前驱物,制备了(Bi1-xLax)2Sr2CaCu2Oδ(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4)粉体。通过X射线衍射仪(XRD)和透射电镜(TEM),对该粉体晶体结构进行了表征;利用SQUID和标准四引线法,对该粉体磁化强度随温度变化曲线(M-T)和电阻随温度变化(R-T)进行了测试,研究了Bi原子部分被La原子置换导致Bi-2212主体结构和电磁特性变化。结果表明,随着La掺杂量增加,晶格常数c不发生变化,但是a,b逐渐变大,而且沿b轴方向的调制周期减小;样品逐渐表现出抗磁性和反铁磁、超导和半导体特性共存、竞争的独特性质。4.采用sol-gel方法,以硝酸盐为前驱物,制备了(Bi1.7La0.3)2Sr2Ca(Cu1-xMnx)2Oδ粉体。通过XRD和TEM结果分析,随着Mn掺杂量增加,晶格常数a,b,c都逐渐变小,调制周期也发生了改变;同时产生了新相,新相衍射峰的强度逐渐增强。利用Raman和IR光谱分析,表明Mn替代Cu,使晶体内部振动模式发生了变化。M-T曲线结果表明,‘新相的生成和结构的改变对样品的磁学性质产生了很大影响。

论文目录

  • 摘要
  • ABSTRACT
  • 第1章 前言
  • 1.1 量子点特性和发展现状
  • 1.1.1 量子点概念
  • 1.1.2 量子点基本效应
  • 1.1.3 量子点制备方法
  • 1.1.4 量子点应用
  • 1.1.5 低维材料理论探讨
  • 1.2 嵌入型氧化物制备和研究进展
  • 1.2.1 纳米硅研究现状
  • 1.2.2 ZnO基本性质和研究现状
  • 1.2.2.1 ZnO材料基本性质
  • 1.2.2.2 ZnO量子点性能
  • 1.2.2.3 ZnO量子点应用
  • 1.2.3 Bi-2212高温超导材料结构特征和研究现状
  • 1.2.3.1 Bi系结构特征
  • 1.2.3.2 Bi-2212研究现状
  • 1.3 论文安排和主要工作成果
  • 参考文献
  • 第2章 样品制备方法和表征手段
  • 2.1 样品制备方法
  • 2.1.1 等离子体化学汽相沉积工艺设备
  • 2.1.1.1 等离子体性质
  • 2.1.1.2 等离子体化学汽相沉积工艺设备
  • 2.1.2 溶胶凝胶法制备粉体样品
  • 2.1.3 高温退火设备
  • 2.2 样品表征方法
  • 2.2.1 X射线衍射谱
  • 2.2.2 透射电镜分析
  • 2.2.3 原子力显微镜(AFM)
  • 2.2.4 晶体吸收谱
  • 2.2.5 发光光谱
  • 2.2.6 红外吸收及拉曼光谱
  • 2.2.7 四引线测量法测量电学性质
  • 2.2.8 SQUID磁强计测量磁化强度温度曲线
  • 参考文献
  • 2基质中镶嵌Si纳米晶薄膜制备、结构及光学性质研究'>第3章 SiO2基质中镶嵌Si纳米晶薄膜制备、结构及光学性质研究
  • 3.1 样品制备和处理方法
  • 3.2 样品结构和光学性质表征
  • 3.2.1 微区拉曼结果分析
  • 3.2.2 红外吸收光谱结果分析
  • 3.2.3 透射光谱结果分析
  • 3.2.4 光致发光光谱结果分析
  • 3.3 本章小结
  • 参考文献
  • 2基质中镶嵌ZnO纳米晶'>第4章 SiO2基质中镶嵌ZnO纳米晶
  • 4.1 样品制备和处理方法
  • 2基质镶嵌ZnO纳米晶颗粒的结构分析'>4.2 SiO2基质镶嵌ZnO纳米晶颗粒的结构分析
  • 4.2.1 X射线衍射结果分析
  • 4.2.2 原子力显微镜照片结果分析
  • 4.2.3 拉曼光谱结果分析
  • 2基质中镶嵌ZnO纳米晶颗粒光学性质分析'>4.3 SiO2基质中镶嵌ZnO纳米晶颗粒光学性质分析
  • 4.3.1 室温光致发光谱分析
  • 4.3.2 变温光致发光谱分析
  • 4.4 本章小结
  • 参考文献
  • 1-xLax)2Sr2CaCu2Oδ粉体'>第5章 (Bi1-xLax)2Sr2CaCu2Oδ粉体
  • 2Sr2CaCu2Oδ(Bi-2212)制备和结构分析'>5.1 Bi2Sr2CaCu2Oδ(Bi-2212)制备和结构分析
  • 5.1.1 实验药品
  • 5.1.2 样品的制备
  • 2Sr2CaCu2Oδ质量影响'>5.1.3 焙烧温度对Bi2Sr2CaCu2Oδ质量影响
  • 2Sr2CaCu2Oδ结晶质量影响'>5.1.4 乙二醇对Bi2Sr2CaCu2Oδ结晶质量影响
  • 1-xLax)2Sr2CaCu2Oδ粉体制备、结构和性质影响'>5.2 (Bi1-xLax)2Sr2CaCu2Oδ粉体制备、结构和性质影响
  • 5.2.1 样品制备
  • 5.2.2 结构表征
  • 5.2.2.1 X射线衍射结果分析
  • 5.2.2.2 透射电镜(TEM)结果分析
  • 1-xLax)2Sr2CaCu2Oδ电磁性质的分析'>5.2.3 (Bi1-xLax)2Sr2CaCu2Oδ电磁性质的分析
  • 5.2.3.1 磁化强度和温度变化关系(M-T)
  • 5.2.3.2 电阻和温度变化关系(R-T)
  • 5.3 本章小结
  • 参考文献
  • 0.7La0.3)2Sr2Ca(Cu1-xMnx)2Oδ粉体结构与性能分析'>第6章 (Bi0.7La0.3)2Sr2Ca(Cu1-xMnx)2Oδ粉体结构与性能分析
  • 6.1 样品制备
  • 6.2 样品的结构表征
  • 6.2.1 X射线衍射结果分析
  • 6.2.2 透射电镜结果分析
  • 6.2.3 微区拉曼光谱结果分析
  • 6.2.4 红外吸收光谱结果分析
  • 6.3 M-T结果分析
  • 6.4 本章小结
  • 参考文献
  • 第7章 结论
  • 致谢
  • 攻读博士期间已发表和在投论文
  • 作者简介
  • 相关论文文献

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