介质界面HPM击穿及行波环的研究

论文摘要

本文回顾了介质窗击穿研究的历史与现状,探讨了蒙特卡罗方法的基本思想和应用技巧,针对不同概率密度函数的性质寻求其最优的抽样方法。研究了次级电子倍增条件以及次级电子出射角度和出射速度概率密度分布的特点。提出了一个改进型的次级电子倍增研究模型,利用蒙特卡罗法生成的随机样本来求解这个模型,得到了工作在2.85GHz的介质片的次级电子倍增敏感度曲线。为了验证理论的可靠性,以及满足未来对介质表面击穿实验的需求,设计了一个行波谐振环,阐述了它的工作原理,给出了初步的实验设计方案。

论文目录

• 第一章 引言
• 1.1 真空介质界面HPM 击穿机理研究的意义
• 1.2 研究现状
• 1.3 论文的工作
• 第二章 蒙特卡罗方法及其应用
• 2.1 蒙特卡罗方法的基本思想与解题步骤
• 2.2 伪随机数的产生
• 2.3 随机数的检验
• 2.4 从概率分布函数的抽样
• 2.4.1 等价的连续概率密度函数
• 2.4.2 概率密度函数（PDF）的变换
• 2.4.3 直接抽样法（反函数法）
• 2.4.4 变换抽样法
• 2.4.5 舍选抽样法
• 2.4.6 混合抽样法
• 2.5 小结
• 第三章 真空介质界面击穿机理分析
• 3.1 真空介质界面击穿的主要过程
• 3.2 理论模型的建立
• 3.3 电子运动轨道
• 3.4 次级电子倍增理论
• 3.5 蒙特卡罗方法模拟
• 3.5.1 概率模型分析
• 3.5.2 概率模型在MATLAB中的实现
• 3.6 样本可靠性验证
• 3.7 电子倍增普适敏感曲线的求解
• 3.8 抑制击穿的方法
• 3.9 小结
• 第四章 行波谐振环的实验装置设计
• 4.1 行波谐振环的定义
• 4.2 行波谐振环的基本原理
• 4.3 波导内电场强度与传输功率的换算
• 4.4 行波谐振环的工程设计
• 4.4.1 场强与传输功率的关系
• 4.4.2 环路内插损的计算
• 4.4.3 增益计算
• 4.4.4 几何结构设计
• 4.5 小结
• 结束语
• 致谢
• 参考文献
• 作者攻硕期间取得的成果